[發(fā)明專利]一種芯片貼裝用納米銀漿及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210426581.6 | 申請日： | 2012-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN102935518A | 公開（公告）日： | 2013-02-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李明雨;王帥;計紅軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)深圳研究生院 |
| 主分類號： | B22F9/24 | 分類號： | B22F9/24;B22F1/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市科吉華烽知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 羅志強;張立娟 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 芯片 貼裝用 納米 及其 制備 方法 | ||
1.一種制備芯片貼裝用納米銀漿的方法，其特征在于，包括以下幾個步驟：
步驟A:將還原劑和分散劑滴入硝酸銀溶液中，攪拌;
步驟B:將步驟A所得的溶液進行離心分離，得到上層為混合溶液，下層為沉淀的納米銀顆粒；
步驟C:將步驟B分離出的納米銀顆粒用去離子水清洗后，再用電解質(zhì)溶液絮凝，重新析出可進行離心分離的納米銀顆粒；
步驟D:將納米銀顆粒反復(fù)進行清洗、絮凝、離心多次，最終得到水溶性納米銀漿；
步驟E：將步驟D得到的納米銀漿作用于芯片與基板表面進行互連，通過熱風(fēng)工作臺或爐中加熱形成燒結(jié)接頭。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片貼裝用納米銀漿的制備方法，其特征在于，所述硝酸銀溶液濃度為0.4-1mol/L。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片貼裝用納米銀漿的制備方法，其特征在于，所述步驟A中的滴加速度為10-50ml/min。
4.如權(quán)利要求3所述的芯片貼裝用納米銀漿的制備方法，其特征在于，所述步驟A中的攪拌速度為100-500r/min，攪拌時間為5-10min。
5.如權(quán)利要求4所述的芯片貼裝用納米銀漿的制備方法，其特征在于，所述步驟B中的離心分離的轉(zhuǎn)速為2000-5000r/min。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片貼裝用納米銀漿的制備方法，其特征在于，所述步驟C中的電解質(zhì)溶液采用檸檬酸鹽、硝酸鹽溶液中的一種或幾種。
7.如權(quán)利要求6所述的芯片貼裝用納米銀漿的制備方法，其特征在于，所述步驟C中的電解質(zhì)溶液濃度為0.5-2mol/L。
8.如權(quán)利要求7所述的芯片貼裝用納米銀漿的制備方法，其特征在于，所述還原劑采用硼氫化鈉、水合檸檬酸鈉、亞鐵鹽中的一種或者幾種；所述分散劑采用聚乙烯吡咯烷酮、檸檬酸鈉、水合檸檬酸鈉、C6-C12脂肪酸中的一種或幾種。
9.如權(quán)利要求8所述的芯片貼裝用納米銀漿的制備方法，其特征在于，所述步驟D中的燒結(jié)溫度為150-280℃，燒結(jié)時間為10s-20min。
10.一種采用如權(quán)利要求1-9任一項所述的方法制備的芯片貼裝用納米銀漿，其特征在于，所述納米銀漿的采用粒徑為10nm-30nm的球形銀顆粒。
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