[發明專利]一種中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃及其制造工藝無效
| 申請號： | 201210425837.1 | 申請日： | 2012-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN102951854A | 公開（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發明（設計）人： | 陳波;吳斌;董華明 | 申請（專利權）人： | 上海耀皮玻璃集團股份有限公司;上海耀皮工程玻璃有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/36 | 分類號： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人： | 何新平 |
| 地址： | 201204 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 中性 色雙銀 復合 結構 輻射 鍍膜 玻璃 及其 制造 工藝 | ||
1.一種中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃及其制造工藝，其特征在于，它包括玻璃基板，其特征在于，在所述玻璃基板外側依次設置有第一復合電介質層、第一銀層、第一保護層、第二復合電介質層、第二銀層、第二保護層和電介質層。
2.如權利要求1所述的中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，在所述第一復合電介質層和第二復合電介質層之間還設置有一銅合金層。
3.如權利要求2所述的中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述銅合金層為CuAlNx，所述銅合金層的厚度為2-10nm。
4.如權利要求1所述的中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一復合電介質層為在SiNx層上再鍍ZnSnOx層的復合層，所述第一復合電介質層的厚度為30nm-80nm。
5.如權利要求1所述的中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一銀層和第二銀層為Ag，所述第一銀層和第二銀層的厚度分別為5nm-15nm。
6.如權利要求1所述的中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一保護層和第二保護層為NiCr，所述第一保護層和第二保護層的厚度分別為0nm-14nm。
7.如權利要求1所述的中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述第二復合電介質層為在ZnSnOx層上再依次鍍SiNx層和ZnSnOx層的復合層，所述第二復合電介質層的厚度為50nm-150nm。
8.如權利要求1所述的中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，所述電介質層為Si3N4，所述電介質層的厚度為35nm-50nm。
9.一種中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃的制造工藝，其特征在于，它采用真空磁控濺射鍍膜工藝在玻璃基板上依次鍍膜層：
第一復合電介質層通過交流陰極的硅靶在氬氮氛圍中濺射，在氮化硅膜層上由交流陰極鋅錫合金靶在氧氬氛圍中濺射鍍制；
銅合金層通過使用銅鋁靶材在氮氣的氛圍中濺射；
第一銀層和第二銀層通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射；
第一保護層和第二保護層通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金；
第二復合電介質層通過交流陰極的鋅錫合金靶、硅鋁合金靶和鋅錫合金靶鍍制，鋅錫合金靶在氧氬氛圍中濺射，硅鋁合金靶在氮氬氛圍中濺射；
電介質層通過交流陰極的硅鋁合金靶在氮氬氛圍中濺射。
10.如權利要求9所述的中性色雙銀復合結構低輻射鍍膜玻璃的制造工藝，其特征在于，在所述第一保護層和第二保護層中，Ni：Cr=80：20。
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