[發明專利]自對準三重圖形的形成方法

有效

• 申請號: 201210425609.4
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN103794476B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 隋運奇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/308
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

1.一種自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕層，所述待刻蝕層表面具有分立的第一犧牲層；

在所述待刻蝕層表面、以及第一犧牲層的側壁和頂部表面形成第二犧牲薄膜、以及所述第二犧牲薄膜表面的第一側墻層；

平坦化所述第二犧牲薄膜和第一側墻層，直至暴露出第一犧牲層的頂部表面，所述第一側墻層形成第一側墻，所述第二犧牲薄膜形成第二犧牲層，所述第二犧牲層和第一側墻的頂部表面與所述第一犧牲層的頂部表面齊平，所述第一側墻位于相鄰第一犧牲層之間，且所述第一側墻與所述待刻蝕層之間具有第二犧牲層；

在所述平坦化工藝之后，去除所述第一犧牲層；

去除所述第一犧牲層之后，在所述待刻蝕層、第二犧牲層和第一側墻表面沉積第二側墻層；回刻蝕所述第二側墻層，直至暴露出第二犧牲層、第一側墻的頂部表面，并去除待刻蝕層表面的第二側墻層，在所述第二犧牲層和第一側墻兩側的待刻蝕層表面形成第二側墻；

以第一側墻和第二側墻為掩膜，干法刻蝕所述第二犧牲層，直至暴露出待刻蝕層表面為止。

2.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層的材料為氮化硅。

3.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層的形成方法為：在所述待刻蝕層表面沉積犧牲薄膜；在所述犧牲薄膜表面形成光刻膠層，所述光刻膠層定義出第一犧牲層的對應位置及形狀；以所述光刻膠層為掩膜，采用各向異性的干法刻蝕工藝刻蝕所述犧牲薄膜，直至暴露出待刻蝕層為止。

4.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲層的材料為多晶硅。

5.如權利要求4所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲薄膜的形成工藝為原子層沉積工藝。

6.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲薄膜的厚度為相鄰第一犧牲層之間距離的三分之一。

7.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第一側墻和第二側墻的材料為氧化硅。

8.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第一側墻層的形成工藝為化學氣相沉積工藝。

9.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述去除所述第一犧牲層的工藝為濕法刻蝕工藝。

10.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，干法刻蝕所述第二犧牲層的工藝為各向異性的干法刻蝕工藝。

11.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，還包括：位于所述待刻蝕層表面的掩膜層；所述第一犧牲層、第二犧牲薄膜和第二側墻形成于所述掩膜層表面。

12.如權利要求11所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料為氮化硅。

13.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，還包括：緩沖層；所述第一犧牲層、第二犧牲薄膜和第二側墻形成于所述緩沖層表面。

14.如權利要求13所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述緩沖層的材料為氮氧化硅。

15.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，還包括：提供半導體襯底，所述待刻蝕層位于所述半導體襯底表面。

16.如權利要求15所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，還包括：所述半導體襯底和待刻蝕層之間具有介質層和器件層中的一層或多層重疊。

17.如權利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述待刻蝕層為半導體襯底。