[發(fā)明專利]自對準三重圖形的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210425609.4
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN103794476B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設計）人: 隋運奇
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/308
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

1.一種自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕層，所述待刻蝕層表面具有分立的第一犧牲層；

在所述待刻蝕層表面、以及第一犧牲層的側(cè)壁和頂部表面形成第二犧牲薄膜、以及所述第二犧牲薄膜表面的第一側(cè)墻層；

平坦化所述第二犧牲薄膜和第一側(cè)墻層，直至暴露出第一犧牲層的頂部表面，所述第一側(cè)墻層形成第一側(cè)墻，所述第二犧牲薄膜形成第二犧牲層，所述第二犧牲層和第一側(cè)墻的頂部表面與所述第一犧牲層的頂部表面齊平，所述第一側(cè)墻位于相鄰第一犧牲層之間，且所述第一側(cè)墻與所述待刻蝕層之間具有第二犧牲層；

在所述平坦化工藝之后，去除所述第一犧牲層；

去除所述第一犧牲層之后，在所述待刻蝕層、第二犧牲層和第一側(cè)墻表面沉積第二側(cè)墻層；回刻蝕所述第二側(cè)墻層，直至暴露出第二犧牲層、第一側(cè)墻的頂部表面，并去除待刻蝕層表面的第二側(cè)墻層，在所述第二犧牲層和第一側(cè)墻兩側(cè)的待刻蝕層表面形成第二側(cè)墻；

以第一側(cè)墻和第二側(cè)墻為掩膜，干法刻蝕所述第二犧牲層，直至暴露出待刻蝕層表面為止。

2.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層的材料為氮化硅。

3.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層的形成方法為：在所述待刻蝕層表面沉積犧牲薄膜；在所述犧牲薄膜表面形成光刻膠層，所述光刻膠層定義出第一犧牲層的對應位置及形狀；以所述光刻膠層為掩膜，采用各向異性的干法刻蝕工藝刻蝕所述犧牲薄膜，直至暴露出待刻蝕層為止。

4.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲層的材料為多晶硅。

5.如權(quán)利要求4所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲薄膜的形成工藝為原子層沉積工藝。

6.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲薄膜的厚度為相鄰第一犧牲層之間距離的三分之一。

7.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻的材料為氧化硅。

8.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻層的形成工藝為化學氣相沉積工藝。

9.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述去除所述第一犧牲層的工藝為濕法刻蝕工藝。

10.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，干法刻蝕所述第二犧牲層的工藝為各向異性的干法刻蝕工藝。

11.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，還包括：位于所述待刻蝕層表面的掩膜層；所述第一犧牲層、第二犧牲薄膜和第二側(cè)墻形成于所述掩膜層表面。

12.如權(quán)利要求11所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的材料為氮化硅。

13.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，還包括：緩沖層；所述第一犧牲層、第二犧牲薄膜和第二側(cè)墻形成于所述緩沖層表面。

14.如權(quán)利要求13所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述緩沖層的材料為氮氧化硅。

15.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，還包括：提供半導體襯底，所述待刻蝕層位于所述半導體襯底表面。

16.如權(quán)利要求15所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，還包括：所述半導體襯底和待刻蝕層之間具有介質(zhì)層和器件層中的一層或多層重疊。

17.如權(quán)利要求1所述自對準三重圖形的形成方法，其特征在于，所述待刻蝕層為半導體襯底。