[發(fā)明專(zhuān)利]用于中介片的電容器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210425190.2
• 申請(qǐng)日: 2012-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103456601B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張俊華;葉德強(qiáng);鄭光偉;劉源鴻;侯上勇;邱文智;鄭心圃
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02;H01L23/522
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

形成從襯底的表面延伸到所述襯底中的通孔；

形成位于所述襯底的表面上方的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層中形成第一金屬層，所述第一金屬層與所述通孔電連接；

形成位于所述第一金屬層上方的電容器，其中，所述電容器包括位于所述第一金屬層上方的第一電容器介電層和位于所述第一電容器介電層上方的第二電容器介電層；以及

在所述第一絕緣層上方形成第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層覆蓋所述電容器；

在所述第二絕緣層上方形成蝕刻終止層；

在所述蝕刻終止層上方形成第三絕緣層，并且在所述第三絕緣層內(nèi)形成與所述電容器連接的第二金屬層，其中，所述第二金屬層部分地在介于所述蝕刻終止層的底面和第一金屬層之間的所述第二絕緣層內(nèi)，并且所述第二金屬層部分地在所述第三絕緣層內(nèi)；

其中，所述電容器通過(guò)形成在所述第二絕緣層中的第一通孔插塞與所述第二金屬層電連接；以及

所述第一金屬層通過(guò)形成在所述第二絕緣層中的第二通孔插塞與所述第二金屬層電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述電容器包括兩個(gè)金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述電容器包括位于所述第一金屬層上方的第一電極層、位于所述第一電極層上方的第二電極層以及位于所述第二電極層上方的第三電極層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述第一電極層的面積大于所述第二電極層的面積。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述第二電極層的面積大于所述第三電極層的面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體器件的方法，還包括：在形成所述電容器之前，在所述第一金屬層上方形成介電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述襯底包括硅中介片。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述電容器包括平面電容器。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述通孔包括銅。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

中介片，包括延伸穿過(guò)所述中介片的至少一部分的通孔；

第一金屬層，位于所述中介片上方并與所述通孔電連接；

第二金屬層，位于所述第一金屬層上方并與所述第一金屬層電連接；以及

第一絕緣層形成在所述第一金屬層和所述第二金屬層之間；

蝕刻終止層，位于所述第一絕緣層上方；

第二絕緣層，位于所述蝕刻終止層上方，其中，所述第二金屬層部分地在介于所述蝕刻終止層的底面和第一金屬層之間的所述第一絕緣層內(nèi)，并且所述第二金屬層部分地在所述第二絕緣層內(nèi)；

電容器，形成在所述第一絕緣層中并設(shè)置在所述第一金屬層和所述第二金屬層之間；

第一通孔插塞，形成在所述第一絕緣層中，其中，所述電容器通過(guò)所述第一通孔插塞與所述第二金屬層電連接；

第二通孔插塞，形成在所述第一絕緣層中，其中，所述第一金屬層通過(guò)所述第二通孔插塞與所述第二金屬層電連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述中介片包括硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述通孔包括銅。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電容器包括至少兩個(gè)金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的堆疊件。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電容器包括雙介電層電容器。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，還包括：位于所述電容器的底部電極和所述第一金屬層之間的一個(gè)或多個(gè)介電層。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電容器包括平面電容器。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電容器包括第一電極層、第二電極層、第三電極層、位于所述第一電極層和所述第二電極層之間的第一電容器介電層以及位于所述第二電極層和所述第三電極層之間的第二電容器介電層。