[發明專利]掉電告警控制電路

有效

• 申請號: 201210423937.0
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN102938553A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發明（設計）人: 李響;胡保民;任波;田明;江偉
• 申請（專利權）人: 武漢長光科技有限公司
• 主分類號: H02H3/24
• 分類號: H02H3/24;H02H9/02
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種掉電告警控制電路，其特征在于，包括隔離模塊和均與其連接的緩啟動模塊、DYING-GASP能量存儲模塊和監控模塊；

所述監控模塊，用于上電后進行上電復位，在上電復位這段時間，控制給DYING-GASP能量存儲模塊充電，以及掉電后將所述DYING-GASP能量存儲模塊中的能量輸出給系統做掉電告警操作，其DYING-GASP門限值大于所在系統的正常工作電壓值；

所述緩啟動模塊，用于上電后抑制上電尖峰電流；

所述DYING-GASP能量存儲模塊，用于在上電時存儲掉電告警能量；

所述隔離模塊，用于在掉電時隔離輸入電壓和所述DYING-GASP能量存儲模塊。

2.根據權利要求1所述的掉電告警控制電路，其特征在于，所述緩啟動模塊包括并聯的電容和電阻，并聯的一端通過一電阻接地，并聯的另一端連接電源電壓，該緩啟動模塊還包括第一P溝道的MOSEFT，其柵極和源極與并聯的電容和電阻的兩端連接，且其源極連接電源電壓。

3.根據權利要求2所述的掉電告警控制電路，其特征在于，所述監控模塊包括具有電壓檢測功能的復位芯片，以及第一N溝道的MOSEFT和第二N溝道的MOSEFT，所述第一N溝道的MOSEFT的柵極與該復位芯片連接，所述第一N溝道的MOSEFT的漏極與所述第二N溝道的MOSEFT的柵極連接，所述第一N溝道的MOSEFT的源極接地；所述第二N溝道的MOSEFT的漏極通過一電阻與所述隔離模塊連接，所述第二N溝道的MOSEFT的源極接地。

4.根據權利要求3所述的掉電告警控制電路，其特征在于，所述復位芯片的門檻值大于所在系統正常工作電壓值。

5.根據權利要求4所述的掉電告警控制電路，其特征在于，所述DYING-GASP能量存儲模塊包括多個并聯的電容。

6.根據權利要求5所述的掉電告警控制電路，其特征在于，所述隔離模塊包括第二P溝道的MOSEF，其源極與所述DYING-GASP能量存儲模塊連接，其柵極通過一電阻與第二N溝道的MOSEFT的漏極連接，其漏極通過二極管與所述第一P溝道的MOSEFT的漏極連接，且該源極連接系統電源電壓。