[發明專利]半導體襯底的表面處理方法有效
| 申請號： | 201210422897.8 | 申請日： | 2012-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN102909639A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 魏星;曹共柏;張峰;張苗;王曦 | 申請（專利權）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B24B29/02 | 分類號： | B24B29/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孫佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 襯底 表面 處理 方法 | ||
1.一種半導體襯底的表面處理方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一半導體襯底；
研磨減薄所述半導體襯底的一表面；
采用氧化物拋光漿料拋光所述半導體襯底的被研磨減薄的表面；
采用半導體襯底拋光漿料拋光所述半導體襯底的被研磨減薄的表面。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用氧化物拋光漿料拋光所述半導體襯底的被研磨減薄的表面的步驟，進一步是采用雙面拋光工藝。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用半導體襯底拋光漿料拋光所述半導體襯底的被研磨減薄的表面的步驟，進一步是采用單面拋光工藝。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用氧化物拋光漿料拋光所述半導體襯底的被研磨減薄的表面的步驟，進一步是采用單面拋光工藝。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用半導體襯底拋光漿料拋光所述半導體襯底的被研磨減薄的表面的步驟，進一步是采用單面拋光工藝，且包括粗拋光步驟和精細拋光步驟。
6.一種半導體襯底的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供支撐襯底；
研磨減薄支撐襯底的一表面；
采用氧化物拋光漿料拋光所述半導體襯底的被研磨減薄的表面；
采用半導體襯底拋光漿料拋光所述半導體襯底的被研磨減薄的表面；
提供器件襯底；
在器件襯底的拋光表面和/或支撐襯底的一表面形成絕緣層；
以絕緣層為中間層，將支撐襯底和器件襯底鍵合在一起。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，進一步包括如下步驟：
研磨減薄所述器件襯底的暴露表面；
采用氧化物拋光漿料拋光所述器件襯底的被研磨減薄的表面；
采用半導體襯底拋光漿料拋光所述器件襯底的被研磨減薄的表面。
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