[發(fā)明專利]一種電滲流可控輸藥芯片電滲驅(qū)動單元的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210421367.1
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102872531A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設計）人: 張文光;胡牧風;吳棟棟
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: A61N1/30
• 分類號: A61N1/30
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

1.一種電滲流可控輸藥芯片電滲驅(qū)動單元的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

（1）把單晶硅兩面拋光，在硅片的一面氧化成二氧化硅層，硅在芯片的另一面甩膠光刻，所述的單晶硅厚度≧16um；

（2）光刻芯片，形成4個深溝道；

（3）氧化上表面，形成的二氧化硅層厚度應大于1.5um，同時所述的4個深溝道也利用氧化層的形成而填滿；

（4）刻蝕上表面氧化層，在被二氧化硅填滿的深溝道之間刻蝕出一定寬度的缺口；

（5）對所述的缺口所對應區(qū)域進行離子注入；

（6）上表面拋光并將二氧化硅層留至1um厚；

（7）在上表面濺射鋁，厚度≧1um，按照連接相同一個電極的布線方案刻蝕鋁；

（8）在上表面生長二氧化硅層，拋光磨平；

（9）對連接相反電極的離子注入?yún)^(qū)進行刻蝕，濺射鋁，按照布線方案刻蝕鋁，鋁層的平均厚度應大于4um；

（10）在上表面生長二氧化硅層，使二氧化硅層的厚度能將埋入的鋁線全部包裹覆蓋，并且在鋁線周圍二氧化硅層最薄處也能起到良好的絕緣效果；

（11）在芯片的另一面甩膠，光刻出六個分流道的光刻膠圖形；

（12）深度光刻使形成六個分流道，除去光刻膠層，在上表面氧化形成二氧化硅層，最后封裝整個芯片。

2.根據(jù)權利要求1所述的電滲流可控輸藥芯片電滲驅(qū)動單元的制備方法，其特征在于，步驟（1）中余下的單晶硅厚度為≧16um，分流道的寬度為3um，間隔9um。

3.根據(jù)權利要求2所述的電滲流可控輸藥芯片電滲驅(qū)動單元的制備方法，其特征在于，在步驟（3）中的二氧化硅層厚為≧1.5um，步驟（7）中濺射的鋁層厚≧1um，步驟（9）中濺射的鋁層平均厚度≧4um，在步驟（12）中的二氧化硅層厚為0.5um。

4.根據(jù)權利要求2所述的電滲流可控輸藥芯片電滲驅(qū)動單元的制備方法，其特征在于，步驟（5）中選取的注入離子為硼離子。

5.根據(jù)權利要求2所述的電滲流可控輸藥芯片電滲驅(qū)動單元的制備方法，其特征在于，采用的封裝材料為玻璃薄膜。