[發明專利]具有抗腐蝕和減摩性能的摻Cr的DLC涂層及制備方法

無效

• 申請號: 201210421250.3
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN102912298A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 馬勝利
• 申請（專利權）人: 西安浩元涂層技術有限公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/06
• 代理公司: 西安恒泰知識產權代理事務所 61216
• 代理人: 李鄭建

1.一種抗腐蝕和減摩的摻Cr的DLC涂層制備的方法，其特征在于。該方法包括下列步驟：

1）將預處理好的基體放入電弧與磁控濺射復合鍍膜設備的轉架桿上，該轉架桿隨轉架臺轉動，或者自轉，以保證鍍膜過程的均勻性；

2）以柱弧Cr靶作為Cr源，三對平面C靶作為C的來源，三對平面C靶以對靶的方式安置在爐體內壁上；采用高純Ar作為主要離化氣體，保證有效的輝光放電過程；采用高純N₂作為反應氣體，使其離化并與Cr、C元素結合，在基體表面沉積形成摻Cr的DLC涂層；

3）制備工藝條件：

A）基體等離子體清洗：

基體裝入真空室后，抽真空并加熱到為300℃不變。通入10ml/min的Ar到真空室，當真空室氣壓達到6Pa時，開偏壓至-1000V對真空室的基體表面進行轟擊清洗，持續30min；

B）Cr底層制備：

調節氬氣流量到30ml/min、將真空室氣壓調至0.3Pa，然后開啟柱弧Cr靶，柱弧電流為50A，調整偏壓到-300V并保持10min，在基體表面制備Cr底層；

C)CrC過渡層制備：

Cr底層制備完成后，保持柱弧Cr靶的柱弧電流50A和偏壓-300V不變，打開平面C靶的控制電源，將平面C靶的電源功率調至3KW，在Cr底層上制備CrC過渡層，持續10min；

D）摻Cr的DLC涂層制備：

CrC過渡層制備完成后，將柱弧Cr靶的柱弧電流降低到30A，將平面C靶的電源功率調至5KW，CrC過渡層上再制備摻Cr的DLC涂層，摻Cr的DLC涂層制備過程中真空室溫度300℃，鍍膜偏壓-200V，氣壓0.3Pa，DLC涂層沉積時間120min。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的基體預處理包括表面除油、拋光后浸入丙酮中超聲波清洗和酒精脫水。