[發明專利]發光器件

在審

• 申請號: 201210421174.6
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN103094300A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 金省均;吳玧京;秋圣鎬
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 郝新慧;張浴月

1.一種發光器件，包括：

發光結構，被劃分成多個發光區，所述發光結構包括第一半導體層、有源層和第二半導體層、以及至少一個設置在所述多個發光區之間的邊界區；

第一電極單元，被設置在所述多個發光區的一個發光區中的第一半導體層上；

第二電極單元，被設置在所述多個發光區的另一個發光區中的第二半導體層上；

至少一個連接電極，將相鄰發光區的一個發光區的第一半導體層電連接至所述相鄰發光區的另一個發光區的第二半導體層；以及

中間焊盤，被設置在所述多個發光區的至少一個發光區中的第二半導體層上，

其中通過所述連接電極串聯連接所述多個發光區。

2.一種發光器件，包括：

發光結構，被劃分成多個發光區，所述發光結構包括第一半導體層、有源層和第二半導體層、以及至少一個設置在所述多個發光區之間的邊界區；

第一電極單元，被設置在所述多個發光區的一個發光區中的第一半導體層上；

第二電極單元，被設置在所述多個發光區的另一個發光區中的第二半導體層上；

至少一個連接電極，將相鄰發光區的一個發光區的第一半導體層電連接至所述相鄰發光區的另一個發光區的第二半導體層；以及

中間焊盤，被設置在所述多個發光區的至少一個發光區中的第一半導體層上，

其中通過所述連接電極串聯連接所述多個發光區。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述中間焊盤被設置在所述多個發光區的至少一個發光區中的第二半導體層上，其中所述至少一個發光區不是設置有該第一電極單元和第二電極單元的發光區。

4.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述中間焊盤被設置在所述多個發光區的至少一個發光區中的第一半導體層上，其中所述至少一個發光區不是設置有該第一電極單元和第二電極單元的發光區。

5.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中所述第一電極單元和所述第二電極單元的每一個包括用以接收電力的焊盤。

6.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的發光器件，其中所述中間焊盤被電連接至設置在同一發光區中的連接電極。

7.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的發光器件，還包括：

絕緣層，被設置在所述多個發光區和所述邊界區中，

其中所述連接電極被設置在所述絕緣層上。

8.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述中間焊盤與同一發光區中的所述絕緣層上的所述連接電極隔開。

9.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述中間焊盤與同一發光區中的所述絕緣層上的所述連接電極結合形成。

10.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述連接電極包括穿過所述絕緣層并接觸所述相鄰發光區的一個發光區中的第二半導體層的第一部分。

11.根據權利要求10所述的發光器件，其中所述連接電極還包括穿過所述絕緣層、所述第二半導體層以及所述有源層并接觸所述相鄰發光區的另一個發光區中的第一半導體層的第二部分，

其中所述絕緣層被設置在所述第二部分與所述第二半導體層之間、以及被設置在所述第二部分與所述有源層之間。

12.根據權利要求11所述的發光器件，其中所述連接電極的第二部分的下表面被設置得低于所述有源層的下表面。

13.根據權利要求11所述的發光器件，還包括：

襯底，被設置在所述發光結構下方；以及

導電層，被設置在所述發光區與所述絕緣層之間。

14.根據權利要求13所述的發光器件，其中所述第二部分穿過所述導電層。

15.根據權利要求14所述的發光器件，其中所述絕緣層被設置在所述第二部分與所述導電層之間。

16.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極單元接收第一電力，而所述第二電極單元和所述中間焊盤中的至少一個接收第二電力。

17.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述第一電極單元和所述中間焊盤接收第一電力，而所述第二電極單元接收第二電力。