[發明專利]一種多波段輸出的脈沖電鍍方法

有效

• 申請號: 201210420126.5
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN102877098A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 張文昌;洪少鴻
• 申請（專利權）人: 東莞市若美電子科技有限公司
• 主分類號: C25D5/18
• 分類號: C25D5/18;H05K3/18
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 張明

1.一種多波段輸出的脈沖電鍍方法，其特征在于：包括如下步驟：

A.?根據PCB板的厚度、孔徑大小、厚徑比，選定電鍍溶液；

B.設定多組脈沖電鍍參數，每組脈沖電鍍參數分別對應相應的電鍍波段；?

C.根據PCB板選擇相應的脈沖電鍍參數在電鍍溶液中進行電鍍；

所述脈沖電鍍參數包括電流密度、電鍍時間、正反電流比、正反時間比；所述步驟B的電鍍波段的段數為2~6段。

2.根據權利要求1所述的一種多波段輸出的脈沖電鍍方法，其特征在于：所述步驟C的電流密度為18~28ASF，多組脈沖電鍍的總電鍍時間為60~200min，正反電流比1:1~1:4，正反時間比為20:1或40:2。

3.根據權利要求2所述的一種多波段輸出的脈沖電鍍方法，其特征在于：所述步驟C的具體參數為：脈沖電鍍波段的段數為2段；第一段：電流密度為28ASF，電鍍時間為20min，正反電流比為1:2.5，正反時間比為20:1；第二段：電流密度為28ASF，電鍍時間為40min，正反電流比為1:3.5，正反時間比為20:1。

4.根據權利要求2所述的一種多波段輸出的脈沖電鍍方法，其特征在于：所述步驟C的具體參數為：脈沖電鍍波段的段數為3段；第一段：電流密度為22ASF，電鍍時間為15min，正反電流比為1:2，正反時間比為20:1；第二段：電流密度為22ASF，電鍍時間為80min，正反電流比為1:3.5，正反時間比為20:1；第三段：電流密度為22ASF，電鍍時間為25min，正反電流比為1:3，正反時間比為20:1。

5.根據權利要求2所述的一種多波段輸出的脈沖電鍍方法，其特征在于：所述步驟C的具體參數為：脈沖電鍍波段的段數為4段；第一段：電流密度為20ASF，電鍍時間為5min，正反電流比為1:1，正反時間比為20:1；第二段：電流密度為20ASF，電鍍時間為80min，正反電流比為1:3.8，正反時間比為40:2；第三段：電流密度為20ASF，電鍍時間為40min，正反電流比為1:3，正反時間比為20:1；第四段：電流密度為20ASF，電鍍時間為15min，正反電流比為1:2，正反時間比為20:1。

6.根據權利要求2所述的一種多波段輸出的脈沖電鍍方法，其特征在于：所述步驟C的具體參數為：脈沖電鍍波段的段數為5段；第一段：電流密度為19ASF，電鍍時間為5min，正反電流比為1:1，正反時間比為20:1；第二段：電流密度為19ASF，電鍍時間為70min，正反電流比為1:4，正反時間比為40:2；第三段：電流密度為19ASF，電鍍時間為50min，正反電流比為1:3.5，正反時間比為20:1；第四段：電流密度為19ASF，電鍍時間為45min，正反電流比為1:3，正反時間比為20:1；第五段：電流密度為19ASF，電鍍時間為10min，正反電流比為1:1，正反時間比為20:1。

7.根據權利要求2所述的一種多波段輸出的脈沖電鍍方法，其特征在于：所述步驟C的具體參數為：脈沖電鍍波段的段數為6段；第一段：電流密度為18ASF，電鍍時間為5min，正反電流比為1:1，正反時間比為20:1；第二段：電流密度為18ASF，電鍍時間為70min，正反電流比為1:4，正反時間比為40:2；第三段：電流密度為18ASF，電鍍時間為50min，正反電流比為1:3.5，正反時間比為20:1；第四段：電流密度為18ASF，電鍍時間為45min，正反電流比為1:3，正反時間比為20:1；第五段：電流密度為18ASF，電鍍時間為20min，正反電流比為1:2，正反時間比為20:1；第六段：電流密度為18ASF，電鍍時間為10min，正反電流比為1:1，正反時間比為20:1。

8.根據權利要求1所述的一種多波段輸出的脈沖電鍍方法，其特征在于：所述電鍍溶液包括脈沖電鍍銅光亮劑和整平劑。

9.根據權利要求8所述的一種多波段輸出的脈沖電鍍方法，其特征在于：所述電鍍溶液還包括硫酸銅和硫酸溶液。