[發(fā)明專利]一種磁傳感器及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210419651.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103791921B | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 時(shí)啟猛;劉樂(lè)杰;曲炳郡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京嘉岳同樂(lè)極電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01D5/12 | 分類號(hào): | G01D5/12;G01D11/24;G01R33/02;G01R3/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 100083 北京市海淀區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 傳感器 及其 制作方法 | ||
1.一種磁傳感器,包括磁傳感器芯片、第一印制電路板和屏蔽外殼,在所述屏蔽外殼上設(shè)有導(dǎo)磁孔,所述磁傳感器芯片由所述第一印制電路板支撐,所述磁傳感器芯片的感應(yīng)面與所述導(dǎo)磁孔相對(duì),其特征在于,所述磁傳感器芯片的感應(yīng)面不低于所述屏蔽外殼的內(nèi)表面,并且所述磁傳感器芯片的感應(yīng)面不高于所述屏蔽外殼的外表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器,其特征在于,還包括第二印制電路板,所述磁傳感器芯片設(shè)置于所述第二印制電路板的表面,所述第二印制電路板設(shè)置于所述第一印制電路板的表面,并將所述第二印制電路板嵌置在所述導(dǎo)磁孔內(nèi),借助所述第二印制電路板使所述磁傳感器芯片的感應(yīng)面高于所述屏蔽外殼的內(nèi)表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁傳感器,其特征在于,所述磁傳感器芯片將感應(yīng)到的磁信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),還包括用于將所述電信號(hào)放大的功放電路,以及用于降低噪聲干擾的第一濾波電路,所述功放電路和所述第一濾波電路設(shè)置在所述第二印制電路板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器,其特征在于,在所述屏蔽外殼的內(nèi)側(cè),且在設(shè)置所述導(dǎo)磁孔的頂壁與與所述頂壁相鄰的側(cè)壁的連接位置處設(shè)有倒角。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器,其特征在于,在設(shè)置所述導(dǎo)磁孔的頂壁的內(nèi)側(cè)設(shè)有朝向所述頂壁的外表面凹進(jìn)的凹部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器,其特征在于,設(shè)置所述導(dǎo)磁孔的頂壁的壁厚小于與其相鄰的側(cè)壁的壁厚。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器,其特征在于,所述磁傳感器芯片的感應(yīng)面與設(shè)置所述導(dǎo)磁孔的頂壁的外表面之間的距離小于或等于3μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器,其特征在于,在所述屏蔽外殼的外表面,所述屏蔽外殼的頂壁與所述屏蔽外殼的側(cè)壁的連接位置處設(shè)有倒角。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器,其特征在于,所述磁傳感器芯片將其感應(yīng)到的磁信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),還包括用于將所述電信號(hào)放大的功放電路,以及用于降低噪聲干擾的第一濾波電路,所述功放電路和所述第一濾波電路設(shè)置在所述第一印制電路板上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器,其特征在于,還包括多個(gè)焊針,所述焊針固定于所述第一印制電路板,并與所述第一印制電路板上的導(dǎo)電線路電連接,以使所述焊針?lè)謩e與所述磁傳感器芯片的信號(hào)端、接地端、電壓輸入端電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器,其特征在于,所述磁傳感器芯片包括至少兩條彼此平行的磁敏感薄膜、用于電連接所述磁敏感薄膜的薄膜電極以及導(dǎo)線,利用所述導(dǎo)線和所述磁敏感薄膜的薄膜電極將所述磁敏感薄膜連接成惠斯通電橋電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁傳感器,其特征在于,所述磁敏感薄膜的釘扎方向相同或者相反。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁傳感器,其特征在于,所述磁敏感薄膜為連續(xù)不間斷的薄膜,或者所述磁敏感薄膜包括多段磁敏感薄膜段,而且任意相鄰兩段所述磁敏感薄膜段由導(dǎo)電材料電連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁傳感器,其特征在于,所述磁敏感薄膜包括巨磁阻磁敏感薄膜、各向異性磁阻磁敏感薄膜、隧穿效應(yīng)磁阻磁敏感薄膜、巨磁阻抗效應(yīng)磁阻磁敏感薄膜、霍爾效應(yīng)薄膜或巨霍爾效應(yīng)薄膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器,其特征在于,所述屏蔽外殼由鐵氧體材料或坡莫合金材料制成;或者,所述屏蔽外殼由金屬材料和/或非金屬材料制成,并在所述金屬材料和/或非金屬材料的表面涂覆屏蔽層。
16.一種磁傳感器的制作方法,其特征在于,包括:
獲得磁傳感器芯片,所述磁傳感器芯片包括由至少兩條彼此平行且釘扎方向相同或相反的磁敏感薄膜以及多個(gè)薄膜電極,通過(guò)所述薄膜電極將所述磁敏感薄膜電連接成惠斯通電橋電路;
獲取第一印制電路板,將所述磁傳感器芯片設(shè)置在所述第一印制電路板的表面,并使所述磁傳感器芯片的差分信號(hào)輸出薄膜電極和所述第一印制電路板的焊盤電連接;
獲取焊針,將所述焊針固定在所述第一印制電路板上,并使所述焊針與所述第一印制電路板的焊盤電連接;
獲取屏蔽外殼,將所述磁傳感器芯片和所述第一印制電路板裝入屏蔽外殼內(nèi),并使磁傳感器芯片的感應(yīng)面不低于所述屏蔽外殼的內(nèi)表面,且所述磁傳感器芯片的感應(yīng)面不高于所述屏蔽外殼的外表面;
向所述屏蔽外殼內(nèi)填入樹(shù)脂膠,并將其烘干老化,從而將所述第一印制電路板和所述磁傳感器芯片固定在所述屏蔽外殼內(nèi);
將溢出所述屏蔽外殼的樹(shù)脂膠和位于導(dǎo)磁孔內(nèi)的樹(shù)脂膠去除。
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G01D 非專用于特定變量的測(cè)量;不包含在其他單獨(dú)小類中的測(cè)量?jī)蓚€(gè)或多個(gè)變量的裝置;計(jì)費(fèi)設(shè)備;非專用于特定變量的傳輸或轉(zhuǎn)換裝置;未列入其他類目的測(cè)量或測(cè)試
G01D5-00 用于傳遞傳感構(gòu)件的輸出的機(jī)械裝置;將傳感構(gòu)件的輸出變換成不同變量的裝置,其中傳感構(gòu)件的形式和特性不限制變換裝置;非專用于特定變量的變換器
G01D5-02 .采用機(jī)械裝置
G01D5-12 .采用電或磁裝置
G01D5-26 .采用光學(xué)裝置,即應(yīng)用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光
G01D5-42 .采用流體裝置
G01D5-48 .采用波或粒子輻射裝置





