[發明專利]一種低介電常數層的制作方法

有效

• 申請號: 201210419650.0
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN103794491B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種低介電常數層的制作方法，其特征在于，該方法包括：

在金屬層之上或半導體器件的硅沉積上沉積初始介質層，該初始介質層采用二氧化硅作為沉積材料；

在初始介質層上沉積第一低介電常數層，該第一低介電常數層采用八甲基四硅烷OMCTS和氧氣的混合氣體沉積得到；

在該第一低介電常數層上采用OMCTS和氬氣形成第二低介電常數層，該第二低介電常數層作為后續拋光過程的上層，保證拋光后的該第一低介電常數層的寄生電阻一致性，采用所述氬氣對該第二低介電常數層進行物理轟擊；

所述采用OMCTS和氬氣的混合氣體沉積該第二低介電常數層重復設定次數執行；

所述在初始介質層上沉積該第一低介電常數層之前，該方法還包括：

采用OMCTS和氬氣形成第三低介電常數層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用OMCTS和氬氣形成第二低介電常數層為：通入OMCTS的壓力為0.65～7托，功率為50～2000瓦，OMCTS氣體流量為50～2000毫升每分鐘，通入氬氣的壓力為0.65～7托，功率為50～2000瓦，氬氣流量為50～2000毫升每分鐘。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述次數為6次。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二低介電常數層為摻雜SICOH和氟離子的氧化膜。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在采用OMCTS和氬氣的混合氣體沉積時，還包括通入氫氣H2、氮氣N2、氦氣He和氖氣Ne中的一種和多種組合。