[發明專利]一種低介電常數層的制作方法有效
| 申請號： | 201210419650.0 | 申請日： | 2012-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN103794491B | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發明（設計）人： | 周鳴 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/31 | 分類號： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 介電常數 制作方法 | ||
1.一種低介電常數層的制作方法，其特征在于，該方法包括：
在金屬層之上或半導體器件的硅沉積上沉積初始介質層，該初始介質層采用二氧化硅作為沉積材料；
在初始介質層上沉積第一低介電常數層，該第一低介電常數層采用八甲基四硅烷OMCTS和氧氣的混合氣體沉積得到；
在該第一低介電常數層上采用OMCTS和氬氣形成第二低介電常數層，該第二低介電常數層作為后續拋光過程的上層，保證拋光后的該第一低介電常數層的寄生電阻一致性，采用所述氬氣對該第二低介電常數層進行物理轟擊；
所述采用OMCTS和氬氣的混合氣體沉積該第二低介電常數層重復設定次數執行；
所述在初始介質層上沉積該第一低介電常數層之前，該方法還包括：
采用OMCTS和氬氣形成第三低介電常數層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用OMCTS和氬氣形成第二低介電常數層為：通入OMCTS的壓力為0.65～7托，功率為50～2000瓦，OMCTS氣體流量為50～2000毫升每分鐘，通入氬氣的壓力為0.65～7托，功率為50～2000瓦，氬氣流量為50～2000毫升每分鐘。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述次數為6次。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二低介電常數層為摻雜SICOH和氟離子的氧化膜。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在采用OMCTS和氬氣的混合氣體沉積時，還包括通入氫氣H2、氮氣N2、氦氣He和氖氣Ne中的一種和多種組合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
