[發明專利]一種氣體噴淋頭及制作該氣體噴淋頭的方法

有效

• 申請號: 201210419129.7
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN103789747A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 彭帆;徐朝陽;賀小明;左濤濤
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種制作氣體噴淋頭的方法，其特征在于，所述的方法包括下列步驟：

a）.在一石墨圓盤上設置若干個第一孔徑的孔；

b）.將所述石墨圓盤放置在一沉積反應器中，在所述石墨圓盤的下表面以及所述第一小孔內壁沉積一層碳化硅；

c）.在完成沉積的所述第一孔徑的孔內制作第二孔徑的孔，所述第二孔徑小于所述第一孔徑。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的沉積反應方法為化學氣相沉積法，所述的沉積反應器為化學氣相沉積反應器。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：在所述石墨圓盤的上表面也沉積一層碳化硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一小孔的孔徑范圍為1毫米—6毫米，所述第二小孔的孔徑范圍為0.1毫米—2毫米。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述石墨圓盤的上下表面以及所述第一小孔內壁沉積的碳化硅的厚度與化學氣相沉積反應器內的反應氣體濃度和反應時間成正比。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的碳化硅層外進一步沉積一層氧化釔，所述的氧化釔層通過化學氣相沉積法或等離子體增強化學氣相沉積法形成。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的碳化硅層厚度大于0.5毫米。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一孔徑的孔和第二孔徑的孔在所述氣體噴淋頭上均勻分布。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一孔徑的孔下端從靠近等離子體的石墨圓盤表面開始制作，所述第一孔徑的孔的高度小于所述石墨圓盤的厚度。

10.一種氣體噴淋頭，所述氣體噴淋頭包括一石墨圓盤，所述石墨圓盤上下表面涂覆一層碳化硅，其特征在于：所述石墨圓盤設置若干個小孔，所述小孔內壁涂覆一層碳化硅，所述小孔內壁涂覆的碳化硅厚度大于0.5毫米。