[發(fā)明專利]不通電的偽柵極

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210418806.3
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN103367407B
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉家助;陳桂順;江木吉
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

伸長的第一柵極，在第一方向上延伸，所述第一柵極是不通電的偽柵極；

伸長的第二柵極，在所述第一方向上延伸，所述第二柵極在與所述第一方向不同的第二方向上與所述第一柵極間隔開；以及

伸長的第三柵極，在所述第一方向上延伸并且在所述第一方向上與所述第一柵極對準(zhǔn)且與所述第一柵極間隔開，

其中，所述第二柵極和所述第三柵極各自形成在襯底的相應(yīng)有源區(qū)域上方；并且所述第一柵極形成在所述襯底的非有源區(qū)域上方，

其中，所述第二柵極和所述第三柵極中的每個均形成有允許所述第二柵極和所述第三柵極電連接到其他器件的電接觸件，并且所述第二柵極和所述第三柵極之間沒有電接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一柵極是不通電的偽柵極并且在其上不形成電接觸件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二柵極和所述第三柵極為非偽柵極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直并且一起限定從上向下觀察的所述半導(dǎo)體器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，從上向下觀察時(shí)，源極/漏極區(qū)域設(shè)置在所述第一柵極和所述第二柵極之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，從上向下觀察時(shí)，介電隔離區(qū)域設(shè)置在第一柵極和第三柵極之間。

7.一種半導(dǎo)體器件，包括：

不通電的偽柵極，形成在襯底上方，其中，所述偽柵極具有伸長的形狀并且沿著第一方向定向；

第一功能柵極，形成在所述襯底上方，其中，所述第一功能柵極具有伸長的形狀并且沿著所述第一方向定向，并且所述第一功能柵極在與第一方向垂直的第二方向上與所述偽柵極分離；

允許所述第一功能柵極電連接到其他器件的第一導(dǎo)電接觸件，形成在所述第一功能柵極上；

第二功能柵極，形成在所述襯底上方，其中，所述第二功能柵極具有伸長的形狀并沿著所述第一方向定向，并且所述第二功能柵極在所述第一方向上與所述偽柵極對準(zhǔn)并與所述偽柵極物理分離；以及

允許所述第二功能柵極電連接到其他器件的第二導(dǎo)電接觸件，形成在所述第二功能柵極上，

其中，所述襯底包含摻雜部分和介電隔離部分；所述第一功能柵極和所述第二功能柵極形成在所述摻雜部分的一部分的上方；并且所述偽柵極形成在所述介電隔離部分的一部分的上方；其中，所述第一功能柵極和所述第二功能柵極之間沒有電接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述偽柵極上不形成導(dǎo)電接觸件。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，相對于從上向下觀察的所述半導(dǎo)體器件限定所述第一方向和所述第二方向。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述摻雜部分包含多個源極/漏極區(qū)域，并且，從上向下觀察時(shí)，所述源極/漏極區(qū)域之一位于所述第一功能柵極和所述偽柵極之間。

11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上方形成不通電的偽柵極，其中，所述偽柵極具有伸長的形狀并且在第一方向上延伸；

在所述襯底上方形成第一功能柵極，其中，所述第一功能柵極具有伸長的形狀并在所述第一方向上延伸，并且所述第一功能柵極在與所述第一方向垂直的第二方向上與所述偽柵極間隔開，以及相對于從上向下觀察的所述襯底限定所述第一方向和所述第二方向；

在所述第一功能柵極上形成允許所述第一功能柵極電連接到其他器件的第一電接觸件；

在所述襯底上方形成第二功能柵極，其中，所述第二功能柵極具有伸長的形狀并在所述第一方向上延伸，并且所述第二功能柵極在所述第一方向上與所述偽柵極對準(zhǔn)并與所述偽柵極間隔開；以及

在所述第二功能柵極上形成允許所述第二功能柵極電連接到其他器件的第二電接觸件，

其中，在所述襯底的介電隔離區(qū)域上方形成所述偽柵極；并且在所述襯底的有源區(qū)域上方形成所述第一功能柵極和所述第二功能柵極；其中，所述第一功能柵極和所述第二功能柵極之間沒有電接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述偽柵極、所述第一功能柵極和所述第二功能柵極均通過相同的制造工藝同時(shí)形成。