[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置

無效

• 申請號: 201210418774.7
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN102945863A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 楊海鵬
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種薄膜晶體管，包括：有源層；刻蝕阻擋層，覆蓋于所述有源層之上；源電極和漏電極，位于所述刻蝕阻擋層之上；其特征在于，

所述刻蝕阻擋層上設置有圓形過孔和圍在所述圓形過孔外圍的U形過孔，所述U形過孔的曲率圓心和所述圓形過孔的圓心相重合；

所述源電極通過所述U形過孔與下層的所述有源層連接，所述漏電極通過所述圓形過孔與下層的所述有源層連接。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述有源層為銦鎵鋅氧化物薄膜層。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述U形過孔的圓心角小于等于180度。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述U形過孔的圓心角為180度。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述刻蝕阻擋層為硅氧化物薄膜層，或者硅氮化物薄膜層，或者硅氧化物和硅氮化物形成的復合層。

6.一種陣列基板，其特征在于，設置有權利要求1所述的薄膜晶體管。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，

所述有源層為銦鎵鋅氧化物薄膜層。

8.根據權利要求6或7所述的陣列基板，其特征在于，

所述U形過孔的圓心角小于等于180度。

9.一種顯示裝置，其特征在于，設置有權利要求6或7所述的陣列基板。

10.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

形成有源層；

在有源層上形成刻蝕阻擋層，采用構圖工藝在所述刻蝕阻擋層上形成圓形過孔和圍在所述圓形過孔外圍的U形過孔，且所述U形過孔的曲率圓心和所述圓形過孔的圓心相重合；

形成源漏金屬層，采用構圖工藝形成源電極和漏電極，且所述源電極通過所述U形過孔與下層的所述有源層連接，所述漏電極通過所述圓形過孔與下層的所述有源層連接。