[發(fā)明專利]具有界面絨化層的InP基發(fā)光二極管及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210418773.2
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN102956778A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 虞浩輝;周宇杭
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇威納德照明科技有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種發(fā)光二極管，包括：

P-InP襯底，

在P-InP上依次外延生長的p-InP緩沖層、布拉格反射層、p型包覆層、有源層、n型包覆層、電流擴展層和歐姆接觸層；其特征在于，

在電流擴展層和歐姆接觸層之間具有界面絨化層；其中，

界面絨化層為n-(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，其中x為0.2～0.3，y為0.35～0.45；

界面絨化層的摻雜濃度為1×10²⁰～5×10²¹，界面絨化層的外延厚度優(yōu)選為0.1～0.3微米。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，

界面絨化層的摻雜濃度為5×10²⁰～1×10²¹；界面絨化層的外延厚度為0.15～0.2微米。

3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，

布拉格反射層p-AlInP/p-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x為0.3～0.7，y為0.4～0.6。

4.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，

p型包覆層為p-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x為0.6～1，y為0.4～0.6。

5.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，

有源層為未摻雜(AlxGa1-x)yIn1-yP，x為0～0.5，y為0.4～0.6；

6.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，

n型包覆層為n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x為0.6～1，y為0.4～0.6。

7.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，

所述電流擴展層為n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x為0～1，y為0.45～0.55。

8.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）、在300℃-500℃的溫度下，對P-InP襯底進行表面處理，去除水氣。

（2）、生長p-InP緩沖層。

（3）、生長布拉格反射層p-AlInP/p-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x為0.3～0.7，y為0.4～0.6；

（4）、生長p型包覆層p-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x為0.6～1，y為0.4～0.6；

（5）、生長有源層未摻雜(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中，x為0～0.5，y為0.4～0.6；

（6）、生長n型包覆層n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x為0.6～1，y為0.4～0.6；

（7）、形成電流擴展層，n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x為0～1，y為0.45～0.55，電流擴展層的摻雜濃度為1×10²⁰～1×10²¹，厚度為3000～5000nm；

（8）、生長界面絨化層：首先外延生長界面層n-(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，x為0.2～0.3，y為0.35～0.45；然后經(jīng)過蝕刻使界面層表面絨化成為界面絨化層，蝕刻液為氫氟酸和甲醇的混合液；

（9）、生長歐姆接觸層9。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，

界面絨化層的摻雜濃度為1×10²⁰～5×10²¹；界面絨化層的外延厚度為0.1～0.3微米。

10.如權(quán)利要求8或9所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，

界面絨化層8的摻雜濃度為5×10²⁰～1×10²¹，界面絨化層的外延厚度為0.15～0.2微米。