[發明專利]互補型阻變存儲器及制備方法

無效

• 申請號: 201210418767.7
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN102945923A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 潘峰;唐光盛;曾飛;陳超;劉宏燕;宋成
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G11C13/00;B82Y10/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢

1.一種互補型阻變存儲器，由下至上依次包括底電極、氧儲備層、存儲介質層和頂電極。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于：所述互補型阻變存儲器，由下至上依次由所述底電極、氧儲備層、存儲介質層和頂電極組成。

3.根據權利要求1或2所述的存儲器，其特征在于：構成所述底電極的材料為氮化鈦；

構成所述氧儲備層的材料為氮氧化鈦；

構成所述存儲介質層的材料為二氧化鈦；

構成所述頂電極的材料選自鉑、金、鈀、鎢和鋁中的至少一種。

4.根據權利要求1-3任一所述的存儲器，其特征在于：所述底電極的厚度為50-500nm，優選150nm；

所述氧儲備層的厚度為5-50nm，優選25nm；

所述存儲介質層的厚度為2-10nm，優選4nm；

所述頂電極的厚度為10-500nm，優選100nm。

5.一種制備權利要求1-4任一所述存儲器的方法，包括如下步驟：

1）在襯底上制備所述底電極；

2）在所述步驟1）所得底電極的表面原位制備所述氧儲備層及存儲介質層；

3）在所述步驟2）所得存儲介質層的表面制備所述頂電極，得到所述存儲器。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：所述步驟1）中，制備底電極的方法為磁控濺射；

所述步驟2）中，制備氧儲備層及存儲介質層的方法均為等離子體氧化法；

所述步驟3）中，制備頂電極的方法為磁控濺射或電子束蒸鍍法。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：

所述步驟1）磁控濺射中，靶材為鈦金屬靶，濺射氣氛為氬氣與氧氣的混合氣體，總氣壓為0.2～1.0Pa，基片溫度為25-600℃，氬氣與氧氣的氣壓比為3：5～5：3，濺射功率為5～400W；

所述步驟2）等離子體氧化法中，反應氣氛為氧氣，氣壓為1～100Pa，板壓為100～2000V，射頻功率為10～500W；

所述步驟3）磁控濺射中，靶材為金屬靶，濺射氣氛為氬氣，總氣壓為0.2～1.0Pa，基片溫度為室溫，濺射功率為5～400W。