[發明專利]一種包括Si組合襯底的發光器件無效
| 申請號： | 201210418423.6 | 申請日： | 2012-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN102956771A | 公開（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發明（設計）人： | 虞浩輝;周宇杭 | 申請（專利權）人： | 江蘇威納德照明科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01S5/02 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 黃明哲 |
| 地址： | 213342 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 包括 si 組合 襯底 發光 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種包括Si組合襯底的發光器件，包括組合襯底，其特征在于，
該組合襯底包括：
單晶硅片；
在單晶硅片上有一層非晶氮化硅層，非晶氮化硅層的厚度優選為200～800nm；
在非晶氮化硅層上有一層單晶氮化硅薄膜，單晶氮化硅薄膜包括多個周期性排列的陣列單元，單晶氮化硅薄膜的厚度優選為10～30nm，每個陣列單元的尺寸優選為200×200nm2～1000×1000nm2，每個陣列單元之間的間隔優選為50～300nm。
2.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述非晶氮化硅層的厚度優選為300～500nm。
3.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述每個陣列單元的尺寸優選為200×200nm2～400×400nm2。
4.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述每個陣列單元之間的間隔優選為100～200nm。
5.如權利要求1～4中任一項所述的發光器件，其特征在于，所述發光器件是發光二極管或激光二極管。
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