[發(fā)明專利]具有光子晶體的單纖三向復用器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210418418.5 | 申請日: | 2012-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN102902009A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 盛振;凌偉;甘甫烷;武愛民;王曦;鄒世昌 | 申請(專利權)人: | 江蘇尚飛光電科技有限公司;中科院南通光電工程中心;中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 |
| 主分類號: | G02B6/12 | 分類號: | G02B6/12;G02B6/293;H04B10/25;H04J14/02 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 226009 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 光子 晶體 單纖三 復用器 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及光纖接入網(wǎng)絡領域,特別是涉及一種具有光子晶體的單纖三向復用器。
背景技術
隨著光纖接入網(wǎng)絡技術的長足進展,以及IPTV、視頻點播和網(wǎng)絡游戲等業(yè)務量的增加,用戶對接入帶寬的需求進一步增加,對光纖接入網(wǎng)絡要求越來越高,光纖到戶技術(FTTH)已經(jīng)成為光纖接入網(wǎng)絡的主要技術方案,而無源光網(wǎng)絡(PON)技術是FTTH的主流技術,它可以實現(xiàn)視頻、語音、數(shù)據(jù)三網(wǎng)合一。在用于FTTH的PON技術中,實現(xiàn)光線路終端(OLT)和終端用戶之間通信的核心器件就是單纖三向復用器,研究出滿足通信帶寬要求、低成本、小型化的單纖三向復用器是應用領域的實際需求,因此具有非常重要的意義。這些實際要求也是制約FTTH技術推廣的關鍵因素。
單纖三向復用器的主要功能,是將OLT輸出的波長1490nm的語音信號和波長1550nm的視頻信號、以及用戶上傳的波長1310nm信號復用進一根光纖,用戶可以通過接收機分別接收波長1490nm的語音信號和波長1550nm的視頻信號,并通過上傳波導將本地數(shù)據(jù)上傳至OLT。目前實際應用的單纖三向復用器是由分立器件所構成,具有不易于封裝,耦合損耗大和成本高等缺點;而另一種基于平面光波導技術(PLC)的三向復用器由于芯層與包層之間的折射率差很小,導致其器件尺寸仍然較大。另外,基于PLC的三向復用器往往使用多模波導耦合器(MMI)和陣列波導光柵(AWG)相互級聯(lián)的方式來實現(xiàn)復用功能,使得器件的結(jié)構不夠緊湊。
隨著半導體技術的發(fā)展,Si和SiO2的高折射差(2.0)為實現(xiàn)納米光波導和超小尺度的集成光波導器件提供了可能性。并且Si納米線波導的制造工藝與現(xiàn)有電子工業(yè)中使用的CMOS工藝可完全兼容,為低成本,大批量的生產(chǎn)提供了可能性。因此相對于傳統(tǒng)的三向復用器,如何提供一種低成本、小尺寸、高集成度的三向復用器,已成為本領域技術人員需要解決的技術課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點,本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構緊湊成本低的具有光子晶體的單纖三向復用器。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的,本發(fā)明提供一種具有光子晶體的單纖三向復用器,其至少包括:
用于接入第一波長及第二波長的光波信號的輸入波導;
用于接入第三波長的光波信號的上傳波導;
第一輸出波導;
第二輸出波導;
通過端口分別連接所述輸入波導、上傳波導、第一輸出波導及第二輸出波導的多模波導耦合器,用于分離所述第一波長信號及第二波長信號,并使兩者分別由第一輸出波導及第二輸出波導輸出,所述多模波導耦合器還具有光子晶體,所述光子晶體能反射所述第三波長的光波信號,并使該光波信號由輸入波導輸出至OLT。
優(yōu)選地,所述輸入波導、上傳波導、第一輸出波導、第二輸出波導及多模波導耦合器均通過對半導體基底的刻蝕來形成;更為優(yōu)選地,通過對絕緣體上硅的頂層硅刻蝕來形成。
優(yōu)選地,所述輸入波導、上傳波導、第一輸出波導、及第二輸出波導均為納米線波導。
優(yōu)選地,所述輸入波導、上傳波導、第一輸出波導、及第二輸出波導均呈錐形。
優(yōu)選地,所述光子晶體通過對所述半導體基底的刻蝕來形成。
優(yōu)選地,所述光子晶體包括SiO2介質(zhì)孔光子晶體。
如上所述,本發(fā)明的具有光子晶體的單纖三向復用器,具有以下有益效果:將光子晶體嵌入于多模波導耦合器上以實現(xiàn)三個波長的復用功能,使得器件的結(jié)構極其緊湊;基于絕緣體上硅的Si納米線波導加工工藝與CMOS工藝完全兼容,無需復雜工藝,加工成本低;基于Si納米線波導,為芯層和包層之間提供了巨大的折射率差,可以極大限度的減小器件的尺寸,大幅度提高集成度。
附圖說明
圖1顯示為本發(fā)明的具有光子晶體的單纖三向復用器的二維結(jié)構示意圖。
圖2顯示為本發(fā)明的具有光子晶體的單纖三向復用器的三維結(jié)構示意圖。
元件標號說明
具體實施方式
以下由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式,熟悉此技術的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。
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