[發明專利]一種均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法無效
| 申請號： | 201210418284.7 | 申請日： | 2012-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN102942212A | 公開（公告）日： | 2013-02-27 |
| 發明（設計）人： | 高延敏;趙琴;馮清 | 申請（專利權）人： | 江蘇科技大學 |
| 主分類號： | C01G15/00 | 分類號： | C01G15/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 212003*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 均勻 片狀 cuins sub 納米 晶體 制備 方法 | ||
1.一種均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
(1)將CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O和CH4N2S依次加入有機溶劑中混合，攪拌使之充分溶解，再加入弱還原劑混勻；其中，所述的弱還原劑為草酸、檸檬酸或抗壞血酸；
(2)將步驟(1)得到的混合物轉入壓力釜中密封，恒溫反應12小時，反應結束后自然冷卻至室溫；
(3)將步驟(2)反應后的產物離心、洗滌、干燥后即得。
2.根據權利要求1所述的均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O和CH4N2S中，Cu、In、S元素的摩爾比為1：1：2.5。
3.根據權利要求1所述的均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述有機溶劑為乙二醇和N,N-二甲基甲酰胺按體積比1：1的混合物。
4.根據權利要求1所述的均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，弱還原劑的加入質量為總質量的0.05%～1%。
5.根據權利要求1所述的均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，所述的壓力釜為聚四氟乙烯內襯壓力釜，反應物料的填充度為80%。
6.根據權利要求1所述的均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，反應溫度為190℃。
7.根據權利要求1所述的均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，離心時間為15min，轉速3000r/min。
8.根據權利要求1所述的均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，洗滌采用無水乙醇和去離子水分別依次洗滌。
9.根據權利要求1所述的均勻片狀CuInS2納米晶體的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，干燥溫度為60℃，時間為6h以上。
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