[發明專利]具有結晶質氧化銦半導體膜的薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201210417892.6
• 申請日: 2009-09-15
• 公開（公告）號: CN102916052A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 井上一吉;矢野公規;笘井重和;宇都野太;笠見雅司;后藤健治;川島浩和
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種薄膜晶體管，其具有以氧化銦作為主成分，且含有正3價的金屬氧化物的結晶質氧化銦半導體膜，其中，

所述正3價的金屬氧化物為選自氧化硼、氧化鋁、氧化鎵、氧化鈧、氧化釔、氧化鑭、氧化鐠、氧化釹、氧化釤、氧化銪、氧化釓、氧化鋱、氧化鏑、氧化鈥、氧化鉺、氧化銩、氧化鐿和氧化镥中的1種或2種以上的氧化物，

所述正3價的金屬氧化物的金屬元素M相對于所述氧化銦的銦元素In與所述金屬元素M的合計量的比率M/(M+In)為0.0001～0.1，其中M/(M+In)以原子比計。

2.一種權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，包括：

將含有氧化銦和正3價的金屬氧化物的半導體膜進行成膜的成膜工序；

對所述半導體膜進行氧化處理的工序；和/或

將所述半導體膜結晶化的工序。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其中，

在氧的存在下，將所述半導體膜在150～450℃熱處理0.5～1200分鐘。

4.根據權利要求2或3所述的薄膜晶體管的制造方法，其是溝道蝕刻型薄膜晶體管的制造方法。

5.根據權利要求2或3所述的薄膜晶體管的制造方法，其是蝕刻阻擋型薄膜晶體管的制造方法。