[發(fā)明專利]硅鑄錠用坩堝及其涂層制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210416152.0 | 申請日： | 2012-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN103774209A | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李飛龍;許濤 | 申請（專利權(quán)）人： | 阿特斯（中國）投資有限公司;阿特斯光伏電力（洛陽）有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06;C03C17/23 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 215000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鑄錠 坩堝 及其 涂層 制備 方法 | ||
1.一種硅鑄錠用坩堝，包括坩堝本體，其特征在于：所述坩堝還包括覆蓋在所述坩堝本體內(nèi)壁上的由純水和氧化鋁微粉制成的氧化鋁涂層和覆蓋在所述氧化鋁涂層上的由純水和氮化硅粉體制成的氮化硅涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鑄錠用坩堝，其特征在于：所述氧化鋁涂層中氧化鋁微粉的粒徑為0.1um至0.3um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鑄錠用坩堝，其特征在于：所述氧化鋁微粉與氮化硅粉體的比例為1:2至1:3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鑄錠用坩堝，其特征在于：所述氮化硅粉體的純度大于99.9%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鑄錠用坩堝，其特征在于：所述氧化鋁微粉的純度大于99.9%。
6.一種硅鑄錠用坩堝涂層的制備方法，其特征在于：所述制備方法包括以下步驟：
S1，量取一定量純水，并將該純水置于一超聲水浴容器內(nèi)的燒杯中，同時調(diào)整水浴溫度為35℃至40℃；
S2，稱取一定量的氧化鋁微粉并加入所述燒杯中，然后開啟超聲水浴容器進(jìn)行攪拌；
S3，待攪拌30分鐘后將攪拌好的氧化鋁漿料刷制在一內(nèi)壁溫度為40℃至45℃的坩堝本體的內(nèi)壁上，待氧化鋁漿料完全干燥后形成氧化鋁涂層；
S4，再量取一定量純水，并將該純水置于超聲水浴容器內(nèi)的燒杯中，同時調(diào)整水浴溫度為35℃至40℃；
S5，稱取一定量的氮化硅粉體并加入所述燒杯中，然后開啟超聲水浴容器進(jìn)行攪拌；
S6，待攪拌30分鐘后將攪拌好的氮化硅漿料噴涂至S3步驟形成的氧化鋁涂層上；
S7，將噴涂完成的坩堝置于溫度為200℃的燒結(jié)爐內(nèi)進(jìn)行烘干燒結(jié)以形成覆蓋在氧化鋁涂層上的氮化硅涂層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅鑄錠用坩堝涂層的制備方法，其特征在于：所述S1步驟中的純水的電阻率大于12MΩ·cm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅鑄錠用坩堝涂層的制備方法，其特征在于：所述氧化鋁微粉的粒徑為0.1um至0.3um。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅鑄錠用坩堝涂層的制備方法，其特征在于：所述氧化鋁微粉與純水的比例為1:4至1:5。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅鑄錠用坩堝涂層的制備方法，其特征在于：所述氮化硅與純水的比例為1:4至1:5。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硅鑄錠用坩堝涂層的制備方法，其特征在于：所述稱取的氧化鋁微粉與氮化硅粉體的比例為1:2至1:3。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅鑄錠用坩堝涂層的制備方法，其特征在于：所述氧化鋁微粉和氮化硅粉體的純度均大于99.9%。
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