[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽電池的導(dǎo)電減反射膜和晶體硅太陽電池

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210416053.2
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN103779430A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚偉華;廖輝
• 申請（專利權(quán)）人: 上海比亞迪有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種晶體硅太陽電池的導(dǎo)電減反射膜，其特征在于，所述導(dǎo)電減反射膜為雙功能層結(jié)構(gòu)，其中靠近晶體硅太陽電池硅襯底的功能層為鈍化層，遠離晶體硅太陽電池硅襯底的功能層為導(dǎo)電層；所述導(dǎo)電層所采用的導(dǎo)電介質(zhì)選自AZO、ITO、ATO或者SnO₂中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電減反射膜，其特征在于，所述導(dǎo)電層所采用的導(dǎo)電介質(zhì)為AZO。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電減反射膜，其特征在于，所述導(dǎo)電層為雙層結(jié)構(gòu)，其中靠近鈍化層的一層所采用的導(dǎo)電介質(zhì)為AZO，遠離鈍化層的一層所采用的導(dǎo)電介質(zhì)為SnO₂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電減反射膜，其特征在于，所述導(dǎo)電層的厚度為20~80nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的導(dǎo)電減反射膜，其特征在于，所述導(dǎo)電層通過磁控濺射法、脈沖激光沉積法、溶膠-凝膠法或化學(xué)氣相沉積法制備形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電減反射膜，其特征在于，所述鈍化層所采用的鈍化介質(zhì)為SiO₂或Si₃N₄。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電減反射膜，其特征在于，所述鈍化層采用的鈍化介質(zhì)為SiO₂，鈍化層的厚度為5~20nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電減反射膜，其特征在于，所述鈍化層通過熱氧化或真空蒸鍍法制備形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電減反射膜，其特征在于，所述鈍化層采用的鈍化介質(zhì)為Si₃N₄，鈍化層的厚度為15~60nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電減反射膜，其特征在于，所述鈍化層通過等離子化學(xué)氣相沉積法制備形成。

11.一種晶體硅太陽電池，其特征在于，所述晶體硅太陽電池包括硅襯底、位于硅襯底向光面的減反射層、位于減反射層表面且穿過減反射層與硅襯底接觸的向光面電極；所述減反射層為權(quán)利要求1-10任一項所述的導(dǎo)電減反射膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶體硅太陽電池，其特征在于，所述硅襯底背面還設(shè)有背場和背面電極，背面電極穿過背場與硅襯底背面接觸。