[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210415044.1
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN103779191A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 張翼英;何其旸
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

步驟S101：在形成有目標膜層的半導體襯底上形成核心材料層和位于其上的硬掩膜；

步驟S102：在所述半導體襯底上形成間隔材料薄膜；

步驟S103：對所述間隔材料薄膜進行刻蝕以形成位于所述核心材料層側壁的間隔層；

步驟S104：在所述半導體襯底上形成覆蓋所述目標膜層的犧牲層；

步驟S105：對所述半導體襯底進行刻蝕，在去除部分所述犧牲層的同時去除所述硬掩膜；

步驟S106：去除所述核心材料層和所述犧牲層。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S101包括：

步驟S1001：在形成有目標膜層的半導體襯底上形成一層核心材料薄膜；

步驟S1002：在所述核心材料薄膜上形成一層硬掩膜層；

步驟S1003：在所述硬掩膜層上形成一層光刻膠；

步驟S1004：對所述光刻膠進行曝光、顯影處理，去除要形成核心材料層的區域之外的光刻膠；

步驟S1005：以所述顯影后的光刻膠為掩膜對所述硬掩膜層和核心材料薄膜進行刻蝕，形成核心材料層和硬掩膜的圖形。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述核心材料層的材料為光刻膠、底部抗反射層、有機薄膜、無定形碳、電介質薄膜、金屬薄膜中的任意一種或者任意兩種以上的組合。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述核心材料層的方法為：光刻工藝、等離子體刻蝕、濕法刻蝕、灰化、剝離、納米壓印或定向自組裝構圖工藝。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜為有機薄膜、電介質薄膜、金屬薄膜中的任意一種或者任意兩種以上的組合。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述硬掩膜的方法為涂布、CVD、PVD、ALD或EPI。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S103中采用高刻蝕選擇比，以使所述刻蝕停止于目標膜層的上方。

8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S104中所形成的犧牲層完全覆蓋所述目標膜層、所述硬掩膜和所述間隔層。

9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S104中所形成的犧牲層為光刻膠、底部抗反射層、有機薄膜、無定形碳、電介質薄膜中的一種或至少兩種的組合。

10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S105中所采用的刻蝕方法為回刻蝕工藝。

11.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S106中所采用的方法為干法刻蝕、濕法刻蝕、剝離、灰化工藝中的至少一種。

12.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S106之后還包括步驟S107：以所述間隔層為掩模，對所述目標膜進行刻蝕，形成擬實現的最終的圖形。