[發(fā)明專利]通過邊角圓化浮柵提高數(shù)據(jù)保持力的方法及MOS晶體管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210414713.3
• 申請(qǐng)日: 2012-10-25
• 公開（公告）號(hào): CN102881579A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張雄;康軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L29/788;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，更具體地說，本發(fā)明涉及一種通過邊角圓化浮柵提高數(shù)據(jù)保持力的方法以及采用該通過邊角圓化浮柵提高數(shù)據(jù)保持力的方法而制成的MOS晶體管。

背景技術(shù)

在EPROM（Erasable?Programmable?Read-Only?Memory，可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）、EEPROM（Electrically?Erasable?Programmable?Read-Only?Memory，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）、Flash（閃存）存儲(chǔ)器等都廣泛采用了浮柵技術(shù)。

采用浮柵技術(shù)的MOS晶體管有兩個(gè)多晶硅形成的柵極,其中一個(gè)有電氣連接,一般被稱為控制柵,也就是一般意義上的柵極;還有一個(gè)沒有外引線,他被完全包裹在一層二氧化硅介質(zhì)層里面,是浮空的,所以稱之為浮柵。

具體地說，圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有浮柵的柵極結(jié)構(gòu)。

如圖1所示，具有浮柵的柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵極氧化物層1、布置在第一柵極氧化物層1上的浮柵2、布置在浮柵2上的第二柵極氧化物層3、以及布置在第二柵極氧化物層3上的控制柵4。圖2至圖4示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有其他形狀的浮柵的柵極結(jié)構(gòu)。

對(duì)于圖1至圖4所示的具有浮柵的柵極結(jié)構(gòu)，由于浮柵2靠近第二柵極氧化物層3的邊角部分由于局部的電場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)而會(huì)出現(xiàn)較大的電荷損失（如圖8的箭頭所示），由此有可能造成數(shù)據(jù)保持失效。

因此，希望能夠提供一種能夠提高數(shù)據(jù)保持力的技術(shù)方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠通過邊角圓化浮柵提高數(shù)據(jù)保持力的方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種通過邊角圓化浮柵提高數(shù)據(jù)保持力的方法，其包括：第一步驟，用于在硅片表面形成第一柵極氧化物層；第二步驟，用于在所述第一柵極氧化物層上形成浮柵；第三步驟，用于通過各向同性刻蝕對(duì)所述浮柵進(jìn)行刻蝕，從而使得所述浮柵的上邊角部被圓化。

優(yōu)選地，上述通過邊角圓化浮柵提高數(shù)據(jù)保持力的方法還包括：第四步驟，用于在所述浮柵上形成第二柵極氧化物層；第五步驟，用于在所述第二柵極氧化物層上形成控制柵。

優(yōu)選地，所述浮柵具有矩形截面。

優(yōu)選地，所述浮柵具有凹槽截面。

優(yōu)選地，所述浮柵具有山字形截面。

優(yōu)選地，所述通過邊角圓化浮柵提高數(shù)據(jù)保持力的方法用于制造EPROM、EEPROM、或Flash存儲(chǔ)器。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，還提供了一種采用本發(fā)明第一方面所述的通過邊角圓化浮柵提高數(shù)據(jù)保持力的方法而制成的MOS晶體管。

在本發(fā)明提供的通過邊角圓化浮柵提高數(shù)據(jù)保持力的方法中，由于上邊角部通過各向同性刻蝕而被圓化，從而減弱或消除了浮柵的上邊角部的局部的電場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)，因而不會(huì)出現(xiàn)較大的電荷損失，由此降低了造成數(shù)據(jù)保持失效的可能性。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有浮柵的柵極結(jié)構(gòu)。

圖2至圖4示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有其他形狀的浮柵的柵極結(jié)構(gòu)。

圖5至圖7示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有浮柵的柵極結(jié)構(gòu)。

圖8示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有浮柵的柵極結(jié)構(gòu)的局部放大圖。

圖9示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有浮柵的柵極結(jié)構(gòu)的局部放大圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種通過邊角圓化浮柵提高數(shù)據(jù)保持力的方法包括：

第一步驟，用于在硅片表面形成第一柵極氧化物層1；

第二步驟，用于在第一柵極氧化物層1上形成浮柵2；

第三步驟，用于通過各向同性刻蝕對(duì)浮柵2進(jìn)行刻蝕，從而使得浮柵2的上邊角部被圓化；

第四步驟，用于在浮柵2上形成第二柵極氧化物層3；

第五步驟，用于在第二柵極氧化物層3上形成控制柵4。