[發明專利]一種智能功率模塊的制造方法及智能功率模塊有效
| 申請號: | 201210414053.9 | 申請日: | 2012-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN103779239A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 馮宇翔;黃祥鈞 | 申請(專利權)人: | 廣東美的制冷設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L25/16;H01L23/13 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 528311 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 智能 功率 模塊 制造 方法 | ||
1.一種智能功率模塊的制造方法,其特征在于,包括下述步驟:
選取一金屬基板,在所述金屬基板上依次疊層設置絕緣層及表面具有金層的電路布線,并在所述電路布線之上設置電路元件,將所述電路元件與電路布線通過金屬線相連接;
在所述電路布線上安裝引腳;
將所述金屬基板放置于封裝模具中,并使設置于所述封裝模具之上模的壓條壓于所述金屬基板上,對所述金屬基板的豎直位置進行定位;
將封裝模具合模并注入封裝材料,將所述金屬基板密封;
其中,所述金屬線包括平行于注料方向的平行金屬線和垂直于注料方向的垂直金屬線,并且,至少有一個所述壓條壓制于所述垂直金屬線靠近封裝模具的注膠口的一側,用于防止所述封裝材料沖擊所述垂直金屬線。
2.如權利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述引腳的走向相對所述金屬基板的表面逐漸向上傾斜。
3.如權利要求2所述的制造方法,其特征在于,在使設置于所述封裝模具之上模的壓條壓于所述金屬基板上之前,進行下述步驟:
通過設置于所述封裝模具之下模的固定裝置夾持所述引腳,對所述金屬基板的水平位置進行定位,并使所述金屬基板的表面相對水平面傾斜。
4.如權利要求3所述的制造方法,其特征在于,使設置于所述封裝模具之上模的壓條壓于所述金屬基板上,對所述金屬基板的豎直位置進行定位的步驟具體為:
將所述壓條壓于所述絕緣層或金層上,使所述金屬基板的表面平行于水平面,以對所述金屬基板的豎直位置進行定位。
5.如權利要求1至4任一項所述的制造方法,其特征在于,所述壓條壓制于直徑小于400μm的垂直金屬線的一側,或壓制于與所述注膠口的距離小于25mm的垂直金屬線的一側。
6.如權利要求1至4任一項所述的制造方法,其特征在于,所述壓條壓制于所述金屬基板上的一端具有彈性。
7.如權利要求1至4任一項所述的制造方法,其特征在于,所述壓條的寬度大于所述垂直金屬線的長度。
8.一種智能功率模塊,其特征在于,包括金屬基板,在所述金屬基板上依次疊層設有絕緣層、表面具有金層的電路布線,以及電路元件,所述電路元件通過金屬線與所述電路布線相連接,所述電路布線連接有引腳;
所述金屬線包括與所述智能功率模塊進行封裝時的注料方向相平行的平行金屬線,以及與所述注料方向相垂直的垂直金屬線;
所述金屬基板至少具有所述電路布線的一面由封裝結構進行密封;
所述封裝結構上具有至少一個通向所述絕緣層或金層的開孔,所述開孔位于所述垂直金屬線靠近所述智能功率模塊進行封裝時的注膠口的一側。
9.如權利要求8所述的智能功率模塊,其特征在于,所述開孔的寬度大于所述垂直金屬線的長度。
10.如權利要求8或9所述的智能功率模塊,其特征在于,所述開孔位于直徑小于400μm的垂直金屬線的一側或位于與所述注膠口的距離小于25mm的垂直金屬線的一側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





