[發明專利]標準芯片尺寸封裝有效
| 申請號: | 201210413924.5 | 申請日: | 2009-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN102945811A | 公開(公告)日: | 2013-02-27 |
| 發明(設計)人: | 馮濤;安荷·叭剌;何約瑟 | 申請(專利權)人: | 萬國半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 百慕大哈密爾*** | 國省代碼: | 百慕大群島;BM |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 標準 芯片 尺寸 封裝 | ||
1.一種制造標準芯片尺寸封裝的方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供一個前側具有觸點而后側具有背側金屬的晶圓;
在所述晶圓后側形成鈍化層;
在晶圓后側打開窗口以暴露背側金屬;
在金屬襯墊和晶圓的兩側化學鍍鎳/金鍍層(Ni/Au),以形成下部凸點金屬鍍層;
在下部凸點金屬鍍層上設置焊接球;
切割晶圓形成一組凸點芯片。
2.一種制造共漏極標準芯片尺寸封裝的方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供前側具有鋁襯墊而后側具有背側金屬的兩個晶圓;
化學鍍每一晶圓的前側并保護每一晶圓的后側,從而形成下部凸點金屬鍍層;
測定兩個晶圓的晶片大小和布局是否相互匹配;
如相互匹配,則焊接晶圓后側;
否則當第二晶圓的晶片比第一晶圓的晶片小時,切割第二晶圓;
將從第二晶圓上切割的晶片附在第一晶圓的后側;
在下部凸點金屬鍍層上設置焊接球;
切割晶圓形成一組共漏極凸點芯片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





