[發明專利]納米線的制造方法

有效

• 申請號: 201210413840.1
• 申請日: 2012-10-25
• 公開（公告）號: CN103779182A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 宋化龍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B82Y10/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種納米線的制造方法，其特征在于，包括：

提供體硅襯底；

在所述體硅襯底上形成支撐柱；

利用外延工藝在所述支撐柱的側邊形成納米線，所述納米線的材料與所述支撐柱的材料不同；

去除所述支撐柱，使得所述納米線懸空。

2.如權利要求1所述的納米線的制造方法，其特征在于，在所述體硅襯底上形成支撐柱的工藝包括：

利用外延工藝在所述體硅襯底上形成鍺硅層；

刻蝕所述鍺硅層，形成多個支撐柱。

3.如權利要求2所述的納米線的制造方法，其特征在于，在所述體硅襯底上形成支撐柱的工藝還包括：

形成多個支撐柱后，在相鄰的兩個支撐柱之間填充氧化層，所述氧化層露出部分支撐柱。

4.如權利要求2所述的納米線的制造方法，其特征在于，所述納米線為硅納米線。

5.如權利要求1所述的納米線的制造方法，其特征在于，在所述體硅襯底上形成支撐柱的工藝包括：

刻蝕部分體硅襯底，形成多個支撐柱。

6.如權利要求5所述的納米線的制造方法，其特征在于，在所述體硅襯底上形成支撐柱的工藝還包括：

形成多個支撐柱后，在相鄰的兩個支撐柱之間填充氧化層，所述氧化層露出部分支撐柱。

7.如權利要求5所述的納米線的制造方法，其特征在于，所述納米線為鍺硅納米線。

8.如權利要求1至8中的任一項所述的納米線的制造方法，其特征在于，利用選擇性腐蝕液刻蝕去除所述支撐柱，使得所述納米線懸空。

9.如權利要求1至8中的任一項所述的納米線的制造方法，其特征在于，還包括：

對懸空的納米線執行退火工藝。

10.如權利要求9所述的納米線的制造方法，其特征在于，利用氫氣或者氬氣對懸空的納米線執行退火工藝。