[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210413820.4
• 申請日: 2012-10-25
• 公開（公告）號: CN103178045A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設計）人: 孫星鎬;金倫楷;姜洪成;李潤錫;熊俊杰
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

技術(shù)領域

示例實施方式可涉及半導體器件和/或其制造方法。示例實施方式可涉及具有電阻圖案的半導體器件和/或制造該半導體器件的方法。

背景技術(shù)

摻雜的多晶硅已用于半導體器件中的電阻圖案。然而，隨著高性能金屬柵極的使用，已經(jīng)開發(fā)了金屬電阻圖案的形成方法。因此，期望具有良好電特性的電阻圖案的形成方法。

發(fā)明內(nèi)容

示例實施方式可以提供包括具有良好特性的電阻圖案的半導體器件。

示例實施方式可以提供制造包括具有良好特性的電阻圖案的半導體器件的方法。

在一些示例實施方式中，一種半導體器件可以包括：襯底上的柵極結(jié)構(gòu)，該柵極結(jié)構(gòu)包括第一金屬；絕緣中間層，覆蓋襯底上的柵極結(jié)構(gòu)；絕緣中間層中的電阻圖案，該電阻圖案具有比絕緣中間層的頂表面低的頂表面并且至少在其上部包括不同于第一金屬的第二金屬；和/或穿過絕緣中間層的第一部分的第一接觸插塞，該第一接觸插塞與電阻圖案的上部直接接觸。

在一些示例實施方式中，襯底可以分成有源區(qū)和場區(qū)。半導體器件可以還包括穿過絕緣中間層的第二部分的至少一個第二接觸插塞，至少一個第二接觸插塞電連接到有源區(qū)；和/或穿過絕緣中間層的共用接觸插塞，該共用接觸插塞與柵極結(jié)構(gòu)的頂表面和第二接觸插塞的頂表面接觸。

在一些示例實施方式中，第一接觸插塞和共用接觸插塞可以具有彼此基本上共面的頂表面。

在一些示例實施方式中，絕緣中間層可以包括蝕刻停止層，蝕刻停止層具有與第二接觸插塞的頂表面共面的底表面。

在一些示例實施方式中，半導體器件可以還包括穿過絕緣中間層的第三部分和蝕刻停止層的第三接觸插塞，該第三接觸插塞與不接觸共用接觸插塞的第二接觸插塞的頂表面接觸并且具有與第一接觸插塞的頂表面基本上共面的頂表面。

在一些示例實施方式中，電阻圖案可以包括鎢或鎢硅化物。

在一些示例實施方式中，半導體器件可以還包括絕緣中間層中的對準鍵，該對準鍵具有與電阻圖案的底表面共面的底表面并且包括第二金屬。

在一些示例實施方式中，電阻圖案的底表面可以比柵極結(jié)構(gòu)的頂表面低。

在一些示例實施方式中，電阻圖案的底表面可以比柵極結(jié)構(gòu)的頂表面高。

在一些示例實施方式中，柵極結(jié)構(gòu)可以包括順序地堆疊在襯底上的隧道絕緣層圖案、浮置柵極、介電層圖案以及控制柵極。控制柵極可以包括第一金屬。

在一些示例實施方式中，半導體器件可以包括：襯底的單元區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)，該襯底分成有源區(qū)和場區(qū)并且包括單元區(qū)和邏輯區(qū)，該柵極結(jié)構(gòu)包括第一金屬；絕緣中間層，覆蓋襯底上的柵極結(jié)構(gòu)；邏輯區(qū)中的絕緣中間層中的電阻圖案，該電阻圖案具有比絕緣中間層的頂表面低的頂表面并且包括不同于第一金屬的第二金屬；穿過絕緣中間層的一部分的第一接觸插塞，該第一接觸插塞與電阻圖案的頂表面接觸；穿過單元區(qū)中的絕緣中間層的至少一個第二接觸插塞，該至少一個第二接觸插塞電連接到有源區(qū)；和/或穿過單元區(qū)中的絕緣中間層的共用接觸插塞，該共用接觸插塞與柵極結(jié)構(gòu)的頂表面和至少一個第二接觸插塞的頂表面接觸。

在一些示例實施方式中，一種半導體器件可以包括：襯底的單元區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)，該襯底包括單元區(qū)和邏輯區(qū)；絕緣中間層，覆蓋襯底上的柵極結(jié)構(gòu)；邏輯區(qū)中的絕緣中間層中的電阻圖案，該電阻圖案具有比絕緣中間層的頂表面低的頂表面；穿過絕緣中間層的一部分的第一接觸插塞，該第一接觸插塞與電阻圖案的頂表面接觸；和/或穿過單元區(qū)中的絕緣中間層的第二接觸插塞，該第二接觸插塞與柵極結(jié)構(gòu)的頂表面接觸，包括與第一接觸插塞基本相同的材料，并且具有與第一接觸插塞的頂表面基本上共面的頂表面。

在一些示例實施方式中，制造半導體器件的方法可以包括：在襯底上形成包括第一金屬的柵極結(jié)構(gòu)；在襯底上形成絕緣中間層以覆蓋柵極結(jié)構(gòu)；部分地去除絕緣中間層的上部以形成溝槽；在溝槽中形成電阻圖案，該電阻圖案具有比絕緣中間層的頂表面低的頂表面并且包括不同于第一金屬的第二金屬；使用與絕緣中間層基本相同的材料填充溝槽的剩余部分；和/或形成穿過絕緣中間層的一部分的接觸插塞，該接觸插塞與電阻圖案的頂表面直接接觸。

在一些示例實施方式中，部分地去除絕緣中間層的上部以形成溝槽可以包括：部分地去除絕緣中間層的上部以形成對準鍵凹槽。

在一些示例實施方式中，形成電阻圖案可以包括：在其上具有溝槽和對準鍵凹槽的絕緣中間層上形成電阻層；使用與絕緣中間層基本相同的材料充分地填充溝槽和對準鍵凹槽的剩余部分；在絕緣中間層上形成光致抗蝕劑圖案；和/或使用光致抗蝕劑圖案圖案化電阻層。