[發明專利]一種背照式CMOS圖像傳感器的制造方法有效
| 申請號： | 201210413778.6 | 申請日： | 2012-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN102891158B | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發明（設計）人： | 李琛;康曉旭;顧學強 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 背照式 cmos 圖像傳感器 制造 方法 | ||
1.一種背照式CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
在襯底中依次形成感光二極管區及至少一層金屬互連層；
在所述襯底下表面形成并刻蝕介質層，以使所述介質層之間形成開口區域，所述金屬互連層的金屬互連線通過所述開口區域引出；
在所述襯底下表面的所述開口區域通過電化學腐蝕工藝形成多孔硅結構，所述多孔硅結構的深度為所述襯底下表面至所述金屬互連線的深度；
去除所述介質層；
在所述多孔硅結構中填充導電材料；以及
在所述多孔硅結構下方形成MOS晶體管區域。
2.根據權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，在所述襯底下表面形成并刻蝕介質層的步驟之前，還包括減薄所述襯底下表面，使所述襯底底部的厚度與所述多孔硅結構的深度匹配。
3.根據權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，在所述襯底下表面的所述開口區域通過電化學腐蝕工藝形成多孔硅結構的步驟包括：
通過電化學腐蝕工藝形成多孔硅深槽；以及
在所述多孔硅深槽槽壁形成隔離層。
4.根據權利要求3所述的背照式CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，所述多孔硅深槽的孔徑為所述開口區域的寬度，所述多孔硅深槽的深度為所述襯底下表面至所述金屬互連線的深度。
5.根據權利要求3所述的背照式CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，所述電化學腐蝕工藝采用的腐蝕溶液為氫氟酸和乙醇的混合溶液，其中氫氟酸和乙醇的體積比為1:1～1:10；電化學腐蝕電流密度為10～50mA/cm2。
6.根據權利要求3所述的背照式CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，所述電化學腐蝕工藝采用的腐蝕溶液為氫氟酸和二甲基甲酰胺的混合溶液，其中氫氟酸和二甲基甲酰胺溶液的體積比為1:1～1:10；電化學腐蝕電流密度為5～40mA/cm2。
7.根據權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，所述多孔硅結構的孔徑與所述多孔硅結構的深度的比例為1:5～1:30。
8.根據權利要求7所述的背照式CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，所述多孔硅結構的深度為20～100um，所述多孔硅結構的孔徑為0.8～4um。
9.根據權利要求3所述的背照式CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，所述隔離層的材料為Si3N4，其厚度為50～300nm。
10.根據權利要求1所述的背照式CMOS圖像傳感器制造方法，其特征在于，所述導電材料為鎢。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
