[發明專利]相變存儲單元的制作方法有效
| 申請號： | 201210413488.1 | 申請日： | 2012-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN103779496B | 公開（公告）日： | 2017-07-28 |
| 發明（設計）人： | 林靜 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 存儲 單元 制作方法 | ||
1.一種相變存儲單元的制作方法，包括，
提供相變基底，所述相變基底包括介質層和形成于所述介質層中的金屬層；
利用光刻和刻蝕工藝，在所述介質層中形成溝槽，所述溝槽底面暴露所述金屬層；
沉積相變材料層，以填充所述溝槽；
利用化學機械研磨工藝，去除所述溝槽以外的相變材料層；
進行低溫退火處理，在溫度為20℃～174℃環境中通入含氧氣體，并利用微波或紫外線照射所述相變材料層。
2.如權利要求1所述的相變存儲單元的制作方法，其特征在于，在進行低溫退火處理的步驟中，所述環境溫度為150℃～170℃。
3.如權利要求1所述的相變存儲單元的制作方法，其特征在于，在進行低溫退火處理的步驟中，環境壓力為0.5托～780托。
4.如權利要求3所述的相變存儲單元的制作方法，其特征在于，在進行低溫退火處理的步驟中，所述環境壓力為760托。
5.如權利要求1所述的相變存儲單元的制作方法，其特征在于，在進行低溫退火處理的步驟中，利用微波照射所述相變材料層，所述微波的波長為1mm～300mm，功率為100W～500W。
6.如權利要求1所述的相變存儲單元的制作方法，其特征在于，在進行低溫退火處理的步驟中，利用紫外線照射所述相變材料層，所述紫外線的波長為1nm～200nm，功率為100W～500W。
7.如權利要求1所述的相變存儲單元的制作方法，其特征在于，在進行低溫退火處理的步驟中，所述含氧氣體為臭氧、氧氣、一氧化氮及一氧化二氮的一種或幾種組合。
8.如權利要求1所述的相變存儲單元的制作方法，其特征在于，在進行低溫退火處理的步驟中，所述含氧氣體的通入量為5sccm～5000sccm。
9.如權利要求8所述的相變存儲單元的制作方法，其特征在于，在進行低溫退火處理的步驟中，所述含氧氣體的通入量為3000sccm。
10.如權利要求1至9中任意一項所述的相變存儲單元的制作方法，其特征在于，所述相變材料層的相變材料為鍺銻碲化合物。
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