[發(fā)明專利]一種超寬帶發(fā)射機(jī)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210413420.3
• 申請日: 2012-10-25
• 公開（公告）號: CN102904586B
• 公開（公告）日: 2017-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李琛;方澤嬌;陳嘉胤
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H04B1/02
• 分類號: H04B1/02;H04B1/717
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種超寬帶發(fā)射機(jī)，其特征在于，包括：

數(shù)字激勵模塊，接收數(shù)字基帶的數(shù)據(jù)信號并將所述數(shù)據(jù)信號的上升沿轉(zhuǎn)換為多個(gè)脈沖信號；其中，所述多個(gè)脈沖信號中，第一個(gè)及最后一個(gè)脈沖信號的高電平脈沖寬度為其余所述脈沖信號的高電平脈沖寬度的一半，且所述最后一個(gè)脈沖信號僅具有高電平脈沖；

電荷泵整形模塊，與所述數(shù)字激勵模塊相連，其包括第一NMOS管，第二NMOS管,第一PMOS管,第二PMOS管以及第一電容；其中，所述第一NMOS管的漏極和所述第一PMOS管的漏極連接作為所述電荷泵整形模塊的輸出端，所述第一NMOS管的柵極和所述第一PMOS管的柵極連接作為所述電荷泵整形模塊的輸入端；所述第二NMOS管的漏極接所述第一NMOS管的源極，所述第二NMOS管的源極接地；所述第二PMOS管的漏極接所述第一PMOS管的源極，所述第二PMOS管的源極接電源；所述第一電容一端與所述電荷泵整形模塊的輸出端相連，所述第一電容的另一端接地；所述電荷泵整形模塊將所述多個(gè)脈沖信號整形為具有相同周期的連續(xù)且具有完整波形的電壓信號的電壓信號，所述電壓信號包括上升電壓信號及下降電壓信號；以及

功率放大器模塊，與所述電荷泵整形模塊相連，放大所述電壓信號并輸出至發(fā)射天線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述功率放大器模塊包括第二電容，其一端與所述電荷泵整形模塊的輸出端相連，另一端與所述功率放大器的放大管相連，用以將所述電壓信號交流耦合至所述功率放大器的放大管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述功率放大器模塊還包括負(fù)載電感以及匹配網(wǎng)絡(luò)，所述放大管的源極接地，漏極接所述負(fù)載電感及所述匹配網(wǎng)絡(luò)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述電壓信號為三角波信號。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶發(fā)射機(jī)，其特征在于，所述脈沖信號處于高電平時(shí)，所述電壓信號為下降電壓信號；所述脈沖信號處于低電平時(shí)，所述電壓信號為上升電壓信號。