[發明專利]透明導電膜中的導電結構、透明導電膜及制作方法

有效

• 申請號: 201210412895.0
• 申請日: 2012-10-25
• 公開（公告）號: CN102903423A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 高育龍;崔錚;孫超
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲光科技有限公司
• 主分類號: H01B5/00
• 分類號: H01B5/00;H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

技術領域

本發明屬于多點觸控顯示領域，尤其是一種支持多點觸控技術的透明導光膜及其制作方法。

背景技術

透明導電膜是具有良好導電性和在可見光波段具有高透光率的一種薄膜。目前透明導電膜已廣泛應用于平板顯示、光伏器件、觸控面板和電磁屏蔽等領域，具有極其廣闊的市場空間。

ITO層是觸摸屏模組中至關重要的組成部分。雖然觸摸屏的制造技術一日千里的飛速發展著。但是以投射式電容屏為例，ITO層的基礎制造流程近年來并未發生太大的改變。總是不可避免的需要ITO鍍膜，ITO圖形化，透明電極銀引線制作。這種傳統的制作流程復雜且冗長，因此良率控制就成了現階段觸摸屏制造領域難以回避的難題。此外這種制作方式還不可避免的需要用到刻蝕工藝，大量的ITO及金屬材料會被浪費。因此如何實現工藝簡單且綠色環保的透明導電膜制作是一個亟待解決的關鍵技術問題。

在中國公開發明CN201010533228中揭示了一種埋入式圖形化金屬網格類的透明導電膜，該透明導電膜通過在熱塑性基底材料上壓印出網格形狀的凹槽，在凹槽里填充導電金屬，利用網格空白區實現透光，利用網格凹槽區的金屬實現導電的功能。其中PET基底的透明導電膜透過率大于87%，玻璃基底的透明導電膜透過率大于90%；方阻均小于10Ω/sq；特別是金屬線條的分辨率小于3μm。

在另一篇中國專利CN201110058431中揭示了另一種埋入式圖形化金屬網格類的透明導電膜，該專利通過在基底表面制作一層聚合物層，在聚合物層上壓印網格圖案，從而實現金屬埋入層的制作。

上述兩篇專利揭示的都是單層導電結構的透明導電膜的制作。然而，單層透明導電膜是較難支持多點觸控技術的。因此為了實現多點觸控技術，現有技術中采用兩片單層透明導電膜，以跳線使X和Y軸方向彼此導通，解決了單層膜不支持多點觸控的缺點，但是采用兩片透明導電膜結構的方案存在如下的缺點：第一、跳線主要采用黃光來實現，工序復雜，而且在觸摸屏上跳線是可見的，會影響美觀。第二、現有觸摸屏的發展方向是輕、薄，若增加一層導電膜，即：用雙層導電膜來觸控；這將勢必要增加厚度和本身的重量為代價，這種方法不符合發展的趨勢。

為此本發明人提出一種單面雙層圖形化透明導電膜，來解決現有技術中存在的技術缺陷。

發明內容

有鑒于此，本發明的第一目的在于提出了一種單面雙層的圖形化導電結構，使得擁有該導電結構的透明導電膜具有支持多點觸控的功能。本發明的第二目的在于提出具有上述導電結構的透明導電膜及其制作方法，該透明導電膜不僅能夠支持多點觸控功能，還能大大減少整個多點觸控顯示器件的厚度。

根據本發明的之一目的提出的一種透明導電膜的導電結構，該導電結構設于一透明基底上，包括網格狀的第一金屬埋入層和位于該第一金屬埋入層之上的網格狀的第二金屬埋入層，所述第一金屬埋入層和第二金屬埋入層之間彼此絕緣。

根據本發明的另一目的提出的一種透明導電膜，包括透明基底和設于該基底上的導電結構，所述導電結構包括網格狀的第一金屬埋入層和位于該第一金屬埋入層之上的網格狀的第二金屬埋入層，所述第一金屬埋入層和第二金屬埋入層之間彼此絕緣。

根據本發明的另一目的提出的一種支持多點觸控功能的透明導電膜，包括功能區和設置在該功能區外圍至少一側的引線區，所述功能區中包括導電結構，該導電結構包括網格狀的第一金屬埋入層和位于該第一金屬埋入層之上的網格狀的第二金屬埋入層，所述第一金屬埋入層和第二金屬埋入層之間彼此絕緣，所述引線區中包括多條與該第一金屬埋入層連接的引線匯聚而成的第一引線區和多條與該第二金屬埋入層連接的引線匯聚而成的第二引線區，所述第一引線區和第二引線區之間彼此絕緣。

優選的，該透明導電膜包括透明基底和設于該基底上透明的聚合物層，所述第一金屬埋入層和第一引線區設于該基底中，所述第二金屬埋入層和第二引線區設于該聚合物層中，且該第二金屬埋入層和與該第二金屬埋入層連接的引線的厚度小于該聚合物層。

所述聚合物層圖形化涂布在所述基底上，并露出該第一引線區。

在所述基底與聚合物層之間，還設有增粘層。

優選的，該透明導電膜包括透明基底、位于該基底上透明的第一聚合物層和位于該第一聚合物層上透明的第二聚合物層，所述第一金屬埋入層和第一引線區設于該第一聚合物層中，所述第二金屬埋入層和第二引線區設于該第二聚合物層中，且該第二金屬埋入層與該第二金屬埋入層連接的引線的厚度小于該第二聚合物層。

所述第二聚合物層圖形化涂布在所述第一聚合物層上，并露出該第一引線區。