[發明專利]阻擋漏電流通過存儲陣列中瑕疵存儲單元的方法

有效

• 申請號: 201210412000.3
• 申請日: 2012-10-25
• 公開（公告）號: CN103377697A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 龍翔瀾
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C16/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種阻擋漏電流通過一存儲陣列中瑕疵存儲單元的方法，該存儲單元包括存取裝置及可編程電阻存儲元件，包含：

辨識在該存儲陣列中瑕疵存儲單元的地址；以及

施加一修改偏壓條件以修改在該辨識地址上的該瑕疵存儲單元，形成修改瑕疵存儲單元，該存儲陣列操作期間施加偏壓條件下，該修改瑕疵存儲單元具有一電流阻擋條件。

2.根據權利要求1所述的方法，更包含：

將所辨識的該瑕疵存儲單元的地址儲存于一個地址的備援表中。

3.根據權利要求1所述的方法，其中該存儲單元包括存儲元件，該存儲元件包括于該陣列操作時在所施加偏壓條件下具有一有源區域的相變化存儲材料，且該修改偏壓條件導致電流脈沖會誘發該相變化存儲材料的一部分轉變至一非晶相態以阻擋電流通過該修改瑕疵存儲單元。

4.根據權利要求1所述的方法，其中該存儲單元包括存儲元件，該存儲元件包括于該陣列操作時在所施加偏壓條件下具有一有源區域的相變化存儲材料，且該修改偏壓條件導致電流脈沖會誘發自底電極延伸至頂電極的該相變化存儲材料的一部分轉變至一非晶相態。

5.根據權利要求1所述的方法，其中該修改偏壓條件導致電流脈沖會造成該修改瑕疵存儲單元中的該存取裝置變成電性非導體。

6.根據權利要求1所述的方法，其中該存儲元件包含一相變化材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其中該存取裝置包含一二極管。

8.一種集成電路，包含：

一存儲陣列，該存儲陣列包含存儲單元而該存儲單元包括存取裝置及可編程電阻存儲元件與該存取裝置耦接，且包含多個在一電流阻擋條件下的修改瑕疵存儲單元；

一備援陣列包括取代存儲單元；以及

一備援表，該備援表標示該修改瑕疵存儲單元在該存儲陣列中的辨識地址與該備援陣列中的該取代存儲單元之間的對應關系。

9.根據權利要求8所述的集成電路，其中該修改瑕疵存儲單元包括一修改二極管在正向和反向偏壓時會在一電流阻擋條件下。

10.根據權利要求8所述的集成電路，其中該修改瑕疵存儲單元包括修改存儲元件于一電流阻擋條件下。

11.根據權利要求8所述的集成電路，其中該存儲元件包括相變化材料，及該修改瑕疵存儲單元包括具有一高電阻有源區域的修改存儲元件。

12.根據權利要求8所述的集成電路，更包括：

一內建自我測試電路適合辨識在一集成電路的一存儲陣列中瑕疵存儲單元的地址，且施加一修改偏壓條件以修改在該辨識地址上的該瑕疵存儲單元，形成具有一電流阻擋條件的修改瑕疵存儲單元。

13.根據權利要求12所述的集成電路，其中該內建自我測試電路更包含適合將所辨識的該瑕疵存儲單元的地址儲存于該備援表中。

14.根據權利要求12所述的集成電路，其中該存儲單元包括存儲元件，該存儲元件包括于該陣列操作時在所施加偏壓條件下具有一有源區域的相變化存儲材料，且該修改偏壓條件導致電流脈沖會誘發該相變化存儲材料的一部分轉變至一非晶相態以阻擋電流通過該修改瑕疵存儲單元。

15.根據權利要求12所述的集成電路，其中該存儲單元包括存儲元件，該存儲元件包括于該陣列操作時在所施加偏壓條件下具有一有源區域的相變化存儲材料，且該修改偏壓條件導致電流脈沖會誘發自底電極延伸至頂電極的該相變化存儲材料的一部分轉變至一非晶相態。

16.根據權利要求12所述的集成電路，其中該修改偏壓條件導致電流脈沖會造成該修改瑕疵存儲單元中的該存取裝置變成電性非導體。