[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210411814.5 | 申請日: | 2012-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN103094157A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙昌洙 | 申請(專利權(quán))人: | 細(xì)美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 韓國忠淸南道天*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及處理基板的裝置和方法,更詳細(xì)地,涉及對基板實施烘烤工序的基板處理裝置和方法。
背景技術(shù)
為了制造半導(dǎo)體元件或液晶顯示器,實施以下多種工序:光刻、刻蝕、離子注入蒸鍍和洗凈。這樣的工序中,光刻工序使基板上形成所需的圖案。
光刻工序依次實行下述工序:涂敷工序,向基板上涂敷如光刻膠這樣的藥液;曝光工序,在涂敷的感光膜上形成特定的圖案;以及顯影工序,在曝光的感光膜上去除不必要的區(qū)域。
其中,在涂敷洗凈工序中,如向基板上涂敷藥液,則要使被涂敷的藥液干燥。在使藥液干燥的工序中,在與外部密閉的腔室內(nèi)加熱基板,從基板產(chǎn)生的煙氣(Fume)和空氣被排向出口。
以排出的煙氣和空氣為量的空氣從腔室的外部與異物共同流入腔室的內(nèi)部。流入的外部空氣的溫度比內(nèi)部空氣的溫度低。因此,當(dāng)工序進(jìn)行時,腔室內(nèi)的溫度變得低于設(shè)定溫度。另外,腔室由于其密閉的內(nèi)部構(gòu)造,在支承部件的下部區(qū)域停滯的空氣使支承部件加熱至已設(shè)定的溫度以上。因此,支承部件產(chǎn)生熱變形,出現(xiàn)異物并產(chǎn)生工序不良。
在先技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本韓國專利公開第10-2003-347198號公報。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明用于提供一種基板處理裝置和基板處理方法,其在烘烤工序中使腔室的內(nèi)部的溫度變化較小。
另外,本發(fā)明用于提供一種基板處理裝置和基板處理方法,其防止外部的異物流入腔室的內(nèi)部。
另外,本發(fā)明用于提供一種基板處理裝置和基板處理方法,其支承使支承部件熱變形較小。
基于本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置,其中,包括:腔室,形成有運(yùn)入基板的運(yùn)入口;支承部件,設(shè)置于所述腔室的內(nèi)部,運(yùn)入的所述基板位于所述支承部件上;溫度調(diào)節(jié)部件,被設(shè)置為能夠與所述支承部件進(jìn)行熱傳導(dǎo);在所述腔室中形成有:流入口,設(shè)置使得氣體流入下部空間,所述下部空間被提供于比所述支承部件低的位置;流出口,設(shè)置使得上部空間的氣體被排出,所述上部空間被提供于比所述支承部件高的位置。
另外,在基于本發(fā)明的實施方式的基板處理方法中,實施烘烤工序,所述烘烤工序在腔室的內(nèi)部將位于支承部件上的基板在加熱部件上加熱;從所述腔室外部流入的氣體在所述支承部件的下方所提供的下部空間被所述加熱部件加熱后,移動至在所述支承部件的上方所提供的上部空間,之后向所述腔室的外部排出。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明,在烘烤工序中能夠使腔室的內(nèi)部的溫度變化較小。
另外,根據(jù)本發(fā)明,能夠使外部的異物不流入腔室的內(nèi)部。
另外,根據(jù)本發(fā)明,能夠支承使支承部件熱變形較小。
附圖說明
圖1為基于本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的截面圖;
圖2為從上部觀察所獲得的基板處理裝置的截面圖;
圖3為表示在實施烘烤工序期間腔室的內(nèi)部的氣體流動的圖;
圖4為基于第二實施方式的基板處理裝置的截面圖;
圖5為從上部觀察基于第三實施方式的基板處理裝置所獲得的截面圖;
圖6為從上部觀察基于第四實施方式的基板處理裝置所獲得的截面圖;
圖7為表示基于第五實施方式的基板處理裝置的截面圖;
圖8為從上部觀察基于第五實施方式的基板處理裝置所獲得的截面圖;
圖9為從上部觀察基于第六實施方式的基板處理裝置所獲得的截面圖。
標(biāo)號說明
10...腔室
20...門
30...支承部件
40...溫度調(diào)節(jié)部件
具體實施方式
下面,參照附圖的圖1至圖9進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式。本發(fā)明的實施方式能夠變形為多種方式,不可解釋為本發(fā)明的范圍被以下實施方式所限定。本實施方式是為了向本領(lǐng)域中具有平均知識的從業(yè)者更完整地說明本發(fā)明而提供的。因此,圖中要件的形狀為了強(qiáng)調(diào)更明確的說明而有所夸張。
圖1為表示基于本發(fā)明的實施方式的基板處理裝置的截面圖。
參照圖1,本發(fā)明的基板處理裝置1包括:腔室10、門20、支承部件30、溫度調(diào)節(jié)部件40和分隔部件50。
腔室10形成基板處理裝置1的外觀。另外,提供腔室10以形成處理基板的內(nèi)部空間。
在腔室10的一個面上形成運(yùn)入基板的運(yùn)入口103,在運(yùn)入口103處提供有門20。門20開閉運(yùn)入口103。若打開門20而開放運(yùn)入口103,則基板可被運(yùn)入腔室10的內(nèi)部空間。在基板被運(yùn)入后并在腔室10的內(nèi)部空間被處理的期間,門20遮蔽運(yùn)入口103。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





