[發明專利]電子照相感光體、處理盒和圖像形成設備在審
| 申請號: | 201210411791.8 | 申請日: | 2012-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN103309179A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 井手健太;成田幸介;川崎晃弘;杉浦聰哉;野中聰洋;中村博史;小關一浩;橋場成人 | 申請(專利權)人: | 富士施樂株式會社 |
| 主分類號: | G03G5/14 | 分類號: | G03G5/14;G03G5/06;G03G21/18;G03G15/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香蘭;龐東成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 照相 感光 處理 圖像 形成 設備 | ||
1.一種電子照相感光體,所述電子照相感光體包含:
導電性支持體;
底涂層,所述底涂層設置在所述導電性支持體上且厚度為15μm~40μm,并且當厚度為至少15μm時對于波長為450nm的光具有20%以下的透光率;
電荷生成層,所述電荷生成層設置在所述底涂層上;和
電荷輸送層,所述電荷輸送層設置在所述電荷生成層上且厚度為15μm~40μm,并且當厚度為至少15μm時對于波長為450nm的光具有30%以下的透光率。
2.如權利要求1所述的電子照相感光體,
其中,所述底涂層在厚度為15μm時對于波長為450nm的光的透光率為5%~15%。
3.如權利要求1所述的電子照相感光體,
其中,所述底涂層在厚度為15μm時對于波長為450nm的光的透光率為10%~15%。
4.如權利要求1所述的電子照相感光體,
其中,所述底涂層含有金屬氧化物和電子接受性化合物,并且相對于100重量份所述金屬氧化物的顆粒,所述電子接受性化合物的含量為1重量份~5重量份。
5.如權利要求1所述的電子照相感光體,
其中,所述底涂層含有金屬氧化物和電子接受性化合物,并且相對于100重量份所述金屬氧化物的顆粒,所述電子接受性化合物的含量為2重量份~4重量份。
6.如權利要求1所述的電子照相感光體,
其中,所述電荷輸送層在厚度為15μm時對于波長為450nm的光的透光率為10%~25%。
7.如權利要求1所述的電子照相感光體,
其中,所述電荷輸送層在厚度為15μm時對于波長為450nm的光的透光率為15%~20%。
8.如權利要求1~7中任一項所述的電子照相感光體,
其中,所述電荷輸送層包含由下式1表示的電荷輸送材料:
其中,在式1中,R1、R2、R3、R4、R5和R6各自獨立地表示氫原子、鹵原子、具有1~20個碳原子的烷基、具有1~20個碳原子的烷氧基或者具有取代基或不具有取代基的具有6~30個碳原子的芳基,兩個彼此相鄰的取代基可以彼此鍵合形成烴環結構,并且n和m各自獨立地表示1或2。
9.如權利要求8所述的電子照相感光體,
其中,在所述式1中,由R1、R2、R3、R4、R5和R6表示的烷基選自甲基、乙基、丙基、丁基、辛基、十八烷基、異丙基和叔丁基。
10.如權利要求8所述的電子照相感光體,
其中,在所述式1中,R1、R2、R3、R4、R5和R6選自氫原子或甲基。
11.如權利要求1~10中任一項所述的電子照相感光體,
其中,所述底涂層包含由下式2表示的電子接受性化合物:
其中,在式2中,R11表示氫原子或烷基,并且n1表示0或1的整數。
12.一種處理盒,所述處理盒能與圖像形成設備分離,所述處理盒至少包含:權利要求1~11中任一項所述的電子照相感光體。
13.一種圖像形成設備,所述圖像形成設備包含:
權利要求1~11中任一項所述的電子照相感光體;
充電單元,所述充電單元對所述電子照相感光體的表面充電;
靜電潛像形成單元,所述靜電潛像形成單元使所述電子照相感光體的表面曝光以形成靜電潛像;
顯影單元,所述顯影單元使用顯影劑使所述靜電潛像顯影以形成色調劑圖像;和
轉印單元,所述轉印單元將所述色調劑圖像由所述電子照相感光體轉印至轉印介質。
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