[發(fā)明專(zhuān)利]一種低成本低污染的氮化鎵納米線的制備生成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210410794.X | 申請(qǐng)日： | 2012-10-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102936006A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-02-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王如志;王宇清;嚴(yán)輝;朱滿康;侯育冬;王波;張銘;宋雪梅;劉晶冰;汪浩 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C01B21/06 | 分類(lèi)號(hào)： | C01B21/06;B82Y30/00;C23C16/34;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100124 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 低成本 污染 氮化 納米 制備 生成 方法 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1.一種低成本低污染的氮化鎵納米線的制備生成方法，其特征在于,包括以下步驟：
（1）GaN粉體通過(guò)摻膠、研磨、壓片，經(jīng)過(guò)煅燒后，燒制成GaN靶；
（2）將清洗烘干后的硅片在SBC-12小型離子濺射儀沉積30s-60s,得到表面有厚度為10nm-30nm金膜的襯底；
（3）采用以上方法制備的GaN靶和襯底，采用等離子體輔助，在化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)中進(jìn)行制備：氣壓為1500Pa-2500Pa,襯底溫度800℃-1000℃，偏壓電流100mA-180m，通入氮?dú)饬魉贋?0-50厘米3/分鐘，通入氫氣流速為10-50厘米3/分鐘，沉積時(shí)間為5min～30min。
下載完整專(zhuān)利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于北京工業(yè)大學(xué)，未經(jīng)北京工業(yè)大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210410794.X/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長(zhǎng)方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
