[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210410515.X
• 申請日: 2012-10-24
• 公開（公告）號: CN103066128B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 栃林克明;日向野聰;山崎舜平
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 張金金,朱海煜

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在絕緣表面上形成柵電極層；

在所述柵電極層上形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上形成氧化物半導(dǎo)體膜；

在所述氧化物半導(dǎo)體膜上形成絕緣層，該絕緣層與所述柵電極層重疊；

在所述氧化物半導(dǎo)體膜及所述絕緣層上形成導(dǎo)電膜；

使用含有鹵素元素的蝕刻氣體對所述導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻以形成源電極層和漏電極層；以及

通過氧等離子體處理或一氧化二氮等離子體處理去除所述氧化物半導(dǎo)體膜中的所述鹵素元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中經(jīng)過所述去除步驟的所述氧化物半導(dǎo)體膜中的氯濃度為5×10¹⁸atoms/cm³以下。

3.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在絕緣表面上形成柵電極層；

在所述柵電極層上形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上形成氧化物半導(dǎo)體膜；

在所述氧化物半導(dǎo)體膜上形成絕緣層；

使用含有鹵素元素的蝕刻氣體對所述絕緣層進(jìn)行蝕刻以在與所述柵電極層重疊的位置形成溝道保護(hù)膜；

去除所述氧化物半導(dǎo)體膜中的所述鹵素元素；

在所述氧化物半導(dǎo)體膜及所述溝道保護(hù)膜上形成導(dǎo)電膜；以及

對所述導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻形成源電極層和漏電極層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中經(jīng)過所述去除步驟的所述氧化物半導(dǎo)體膜中的氯濃度為5×10¹⁸atoms/cm³以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中作為所述去除步驟進(jìn)行氧等離子體處理或一氧化二氮等離子體處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中作為所述去除步驟進(jìn)行利用稀氫氟酸溶液的洗滌處理。

7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在絕緣表面上形成柵電極層；

在所述柵電極層上形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上形成氧化物半導(dǎo)體膜；

在所述氧化物半導(dǎo)體膜上形成絕緣層；

使用含有鹵素元素的第一蝕刻氣體對所述絕緣層進(jìn)行蝕刻以在與所述柵電極層重疊的位置形成溝道保護(hù)膜；

去除所述氧化物半導(dǎo)體膜中的包含于所述第一蝕刻氣體中的所述鹵素元素；

在所述氧化物半導(dǎo)體膜及所述溝道保護(hù)膜上形成導(dǎo)電膜；

使用含有鹵素元素的第二蝕刻氣體對所述導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻形成源電極層和漏電極層；以及

去除所述氧化物半導(dǎo)體膜中的包含于所述第二蝕刻氣體中的所述鹵素元素。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中經(jīng)過利用所述第二蝕刻氣體的所述去除步驟的所述氧化物半導(dǎo)體膜中的氯濃度為5×10¹⁸atoms/cm³以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中作為使用所述第一蝕刻氣體的所述去除步驟和使用所述第二蝕刻氣體的所述去除步驟中的至少一個進(jìn)行氧等離子體處理或一氧化二氮等離子體處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中作為使用所述第一蝕刻氣體的所述去除步驟和使用所述第二蝕刻氣體的所述去除步驟中的至少一個進(jìn)行利用稀氫氟酸溶液的洗滌處理。