[發明專利]用于磁開關傳感器的電路

有效

• 申請號: 201210410359.7
• 申請日: 2012-10-24
• 公開（公告）號: CN102901941A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 鐘小軍
• 申請（專利權）人: 無錫樂爾科技有限公司
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 張文祎

技術領域

本發明涉及開關傳感器技術領域，特別涉及一種用于磁開關傳感器的電路。

背景技術

現有技術中的用于磁開關傳感器的電路的靈敏度較低，一般只能用于測量30Gs以上的待測磁場。此外，現有技術中的用于磁開關傳感器的電路很難實現溫度補償。

非常需要一種靈敏度較高且易實現溫度補償的用于磁開關傳感器的電路。

發明內容

本發明的目的是提供一種用于磁開關傳感器的電路。

本發明提供的用于磁開關傳感器的電路包括磁電阻元件、電阻、帶溫度系數的電壓源和比較器；

磁電阻元件與電阻電連接，且磁電阻元件和電阻分別作為一個橋臂構成一個半橋，磁電阻元件與電阻之間的第二節點N2與比較器的第一輸入端In1電連接，比較器的第二輸入端In2被輸入開關閾值信號，電壓源與磁電阻元件1或電阻電連接，電壓源與磁電阻元件或電阻之間的節點為第一節點N1；

磁電阻元件用于感測待測磁場信號，電阻用于提供與磁電阻元件匹配的電阻值，且所述電阻2與所述磁電阻元件1的電阻值的匹配度為2-10‰，電壓源用于在第一節點N1與地之間施加恒定的電壓，比較器用于將半橋輸出的信號與開關閾值信號比較后輸出開關信號，電壓源還用于提供能夠與磁電阻元件和電阻的溫度系數之差的代數和為零的溫度系數。

優選地，所述電路還包括放大器，所述放大器的輸入端與所述第二節點N2電連接，放大器的輸出端與比較器的第一輸入端In1電連接。

優選地，電壓源與磁電阻元件電連接，磁電阻元件與電阻的一端電連接，電阻的另一端接地。

優選地，電壓源與電阻電連接，電阻與磁電阻元件的一端電連接，磁電阻元件的另一端接地。

優選地，所述磁電阻元件和所述電阻采用多層膜結構，且用于制作所述磁電阻元件和所述電阻的材料相同。

優選地，所述磁電阻元件為多層膜結構的TMR元件或GMR元件。

本發明具有如下有益效果：

(1)所述電路采用電壓源驅動型的電橋結構，因此容易實現溫度補償；

(2)由于所述電路的電阻與磁電阻元件的電阻值精確匹配，且二者的匹配度為2-10‰，從而保證所述電路具有較高的靈敏度，其能夠準確測量低至5Gs的磁場。

附圖說明

圖1為本發明實施例1提供的用于磁開關傳感器的電路的示意圖；

圖2為本發明實施例2提供的用于磁開關傳感器的電路的示意圖；

圖3為本發明實施例3提供的用于磁開關傳感器的電路的示意圖；

圖4為本發明實施例4提供的用于磁開關傳感器的電路的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本發明的內容作進一步的描述。

實施例1

如圖1所示，本實施例提供的用于磁開關傳感器的電路包括磁電阻元件1、電阻2、帶溫度系數的電壓源3和比較器4。電壓源3與磁電阻元件1電連接，磁電阻元件1與電阻2的一端電連接，電阻2的另一端接地。磁電阻元件1和電阻2分別作為一個橋臂構成一個半橋。磁電阻元件1與電阻2之間的第二節點N2與比較器4的第一輸入端In1電連接。比較器4的第二輸入端In2被輸入開關閾值信號。比較器4的輸出端為Out。磁電阻元件1和電阻2都采用多層膜結構。磁電阻元件1為多層膜結構的TMR元件或GMR元件。在本實施例中，磁電阻元件1為例如TMR元件。