[發明專利]基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板

無效

• 申請號: 201210409507.3
• 申請日: 2012-10-24
• 公開（公告）號: CN102917534A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 錢濤
• 申請（專利權）人: 星弧涂層科技（蘇州工業園區）有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/03;C23C14/06;C23C14/18
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陸明耀;陳忠輝

1.基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：包括陶瓷基板（1），和依次沉積在所述陶瓷基板（1）表面上通過PVD技術制備的用于絕緣導熱的DLC復合涂層（2）、以及用于導電的銅箔（4）。

2.根據權利要求1所述的基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：在所述DLC復合涂層（2）和所述銅箔（4）之間還設有金屬過渡層（3）。

3.根據權利要求2所述的基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：所述金屬過渡層（3）為Ti涂層或Cr涂層或Ni涂層。

4.根據權利要求3所述的基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：所述DLC復合涂層（2）包括DLC涂層、和起過渡作用的Si涂層。

5.根據權利要求4所述的基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：所述PVD技術制備包括磁控濺射方法、離子束方法或熱蒸發方法。

6.根據權利要求5所述的基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板，其特征在于：所述Si涂層的厚度為250nm～300nm，所述DLC涂層的厚度為2.0um～2.5um，所述金屬過渡層（3）的厚度為0.5um～1.5um，所述銅箔（4）的厚度為30um～70um。

7.一種基于DLC薄膜涂層的陶瓷基板的制備方法，其特征在于：

步驟一，陶瓷基板清洗步驟，依次包括如下步驟：

（1）用溶劑型清洗介質在超聲波環境下清洗陶瓷基板，烘干后再將陶瓷基板放入鍍膜真空室，抽真空至真空度1×10^-3Pa、加熱至溫度150℃條件下；

（2）對步驟（1）的陶瓷基板進行離子清洗，打開離子束電源，向真空鍍膜室引入高純Ar氣，保持真空鍍膜室的真空度1.2～2.0×10^-1Pa，施加在離子束上的直流電壓為1200V～1800V、直流電源120mA～200mA，施加在陶瓷基板上的偏壓為射頻RF電壓、其功率為50W～250W，離子清洗時長為20～30min；

步驟二，DLC復合涂層沉積步驟，依次包括Si涂層沉積步驟和DLC涂層沉積步驟，其中：

Si涂層沉積步驟：打開磁控濺射電源，向真空鍍膜室引入高純Ar氣，保持真空鍍膜室的真空度1.2～3.0Pa，施加在磁控濺射陰極上的電源為直流電源、其功率為2～3kW，施加在陶瓷基板上的偏壓為射頻RF電壓、其功率為150W～250W，Si涂層沉積時長10～15min，得到的Si涂層厚度為250nm～300nm；

DLC涂層沉積步驟，其依次包括如下步驟：

①打開離子束電源，向真空鍍膜室引入高純C₂H₂氣體；

②保持工藝過程中真空鍍膜室的真空度3.0～5.0×10^-1Pa；

③在離子束上施加直流電壓1600V～2000V、直流電源150mA～220mA；在陶瓷基板上施加射頻RF電壓、其功率為150W～250W，開始鍍膜；

④DLC涂層沉積時長120～150min，得到厚度為2.0um～2.5um的DLC涂層；

步驟三，銅箔沉積步驟，采用磁控濺射技術或熱蒸發技術或電子束技術沉積銅箔。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于：在步驟二和步驟三之間還包括金屬過渡涂層沉積步驟，采用磁控濺射技術或熱蒸發技術或電子束技術，在DLC復合涂層上沉積金屬過度涂層，所述金屬過渡層為Ti涂層或Cr涂層或Ni涂層。