[發明專利]氟化石墨烯在制備光電探測器件中的應用有效
| 申請號： | 201210409506.9 | 申請日： | 2012-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN102881759A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 王蘭喜;陳學康;郭磊;曹生珠;吳敢 | 申請（專利權）人： | 中國航天科技集團公司第五研究院第五一0研究所 |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 甘肅省知識產權事務中心 62100 | 代理人： | 馬英 |
| 地址： | 730000*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氟化 石墨 制備 光電 探測 器件 中的 應用 | ||
【權利要求書】：
1.氟化石墨烯在制備光電探測器件中的應用。
2.如權利要求1所述的氟化石墨烯在制備柔性光電探測器件中的應用。
3.如權利要求1或2所述的應用，其特征在于：所述光電探測器件的制備方法為：
⑴?制備絕緣襯底上的石墨烯薄膜樣品；
⑵?對⑴中所述石墨烯薄膜進行氟化；
⑶?在⑵中所述氟化石墨烯薄膜表面制作叉指電極，形成基于氟化石墨烯的光電探測器件。
4.如權利要求1或2所述的應用，其特征在于：所述光電探測器件的制備方法為：
?將帶有基底的沉積態石墨烯薄膜進行氟化；
?將⑴中所述氟化石墨烯轉移至絕緣襯底上；
?在⑵中所述氟化石墨烯薄膜表面制作叉指電極，形成基于氟化石墨烯的光電探測器件。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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