[發明專利]含蒽和菲的有機半導體材料及其制備和有機電致發光器件無效
| 申請號: | 201210409145.8 | 申請日: | 2012-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN103772133A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;梁祿生;張娟娟 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | C07C15/30 | 分類號: | C07C15/30;C07C1/32;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機半導體 材料 及其 制備 有機 電致發光 器件 | ||
技術領域
本發明涉及光電材料領域,特別是涉及一種含蒽和菲的有機半導體材料及其制備方法和有機電致發光器件。
背景技術
隨著信息時代的發展,高效、節能、輕質的有機電致發光平板顯示器(OLEDs)及大面積白光照明越來越受到人們的關注。OLED技術被全球的科學家關注,相關的企業和實驗室都在進行這項技術的研發。作為一種新型的LED技術,具有主動發光且輕、薄、對比度好、能耗低、可制成柔性器件等特點的有機電致發光器件對有機半導體材料提出了較高的要求。
1987年,美國Eastman?Kodak公司的Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展,而要實現全色顯示及照明等應用目的,發光器件必須具有一定的效率和壽命。目前高效的熒光材料比較缺乏。
發明內容
為解決上述高效的熒光材料較缺乏的問題,本發明旨在提供一種含蒽和菲的有機半導體材料,該有機半導體材料具有較高的發光效率以及熱穩定性,利于延長發光器件的使用壽命。
本發明還提供該有機半導體材料的制備方法及含有該有機半導體材料的有機電致發光器件。
一方面,本發明提供一種含蒽和菲的有機半導體材料,所述含蒽和菲的有機半導體材料為如下結構式所示的化合物P,簡稱PAAr:
其中,Ar為
本發明中,蒽和菲均為三苯稠環芳烴,形成共軛結構,且具有較大的平面剛性,使本發明的含蒽和菲的有機半導體材料具有較高的發光效率以及熱穩定性。
另一方面,本發明提供一種含蒽和菲的有機半導體材料的制備方法,包括如下步驟:
分別提供如下結構式表示的化合物A和化合物B:
A為B為
在無氧狀態和惰性氣體氛圍中,將所述化合物A、所述化合物B與有機鈀催化劑混合,然后加入堿性溶液與有機溶劑,加熱進行Suzuki耦合反應,制得含蒽和菲的有機半導體材料,即化合物P,
其中,Ar為
所述制備方法中Suzuki耦合反應的反應式如下:
其中,Ar為
優選地,所述化合物A與化合物B的摩爾比為1:(1~2)。
優選地,所述有機鈀催化劑與化合物A的摩爾比為(0.05~0.1):1。優選地,有機鈀催化劑為四(三苯基膦)鈀、雙(三苯基膦)二氯化鈀或者三(二亞芐基丙酮)二鈀。
優選地,所述惰性氣體為氮氣或氬氣。
優選地,所述堿性溶液為Cs2CO3水溶液、K2CO3水溶液或Na2CO3水溶液中的一種或多種,所述堿性溶液的濃度為2mol/L,堿性溶液中溶質的摩爾用量為化合物A的摩爾用量的20~25倍。
優選地,所述有機溶劑四氫呋喃、乙二醇二甲醚或甲苯。
優選地,所述Suzuki耦合反應的反應溫度為75~120℃,反應時間為24~48小時。
優選地,所述含蒽和菲的有機半導體材料(即化合物P)的制備方法進一步包括分離純化的步驟,所述分離純化的步驟如下:將反應結束后得到的含有含蒽和菲的有機半導體材料的反應液加入飽和氯化銨水溶液中,用二氯甲烷萃取,有機相用氯化鈉水溶液洗,干燥,旋蒸除去二氯甲烷后得到粗產物,隨后將粗產物進行硅膠柱層析分離提純,得到提純后的含蒽和菲的有機半導體材料。
第三方面,本發明提供了一種有機電致發光器件,包括陽極、功能層、發光層和陰極,所述發光層的材質為如下結構式所示的含蒽和菲的有機半導體材料,即化合物P:
其中,Ar為
本發明提供了一種含蒽和菲的有機半導體材料,該有機半導體材料的結構中,蒽和菲為稠環芳香基團,形成共軛結構,并具有一定的平面剛性,使本發明的含蒽和菲的有機半導體材料具有較高的發光效率以及熱穩定性,利于延長發光器件的使用壽命。
此外,本發明的含蒽和菲的有機半導體材料在常用溶劑(如甲苯、二氯甲烷、三氯甲烷或四氫呋喃)中具有很好的溶解性能和成膜性能,并能通過脂肪鏈取代基來調節其溶解及成膜性能。本發明還提供了該有機半導體材料的制備方法以及含有該有機半導體材料的有機電致發光器件。
附圖說明
圖1為應用實施例的含有含蒽和菲的有機半導體材料的有機電致發光器件的結構圖,包括玻璃基板1,陽極2,空穴傳輸層3,發光層4,電子傳輸層5,緩沖層6和陰極7。
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