[發明專利]一種半導體微波爐

有效

• 申請號: 201210408669.5
• 申請日: 2012-10-23
• 公開（公告）號: CN103776069B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: 唐相偉;歐軍輝;梁春華;彭定元
• 申請（專利權）人: 廣東美的廚房電器制造有限公司;美的集團股份有限公司
• 主分類號: F24C7/02
• 分類號: F24C7/02;F24C7/08
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種半導體微波爐，其特征在于，包括：

半導體功率源，所述半導體功率源包括多個LDMOS管，所述多個LDMOS管根據自振蕩電路產生預設頻率的微波；

控制模塊，所述控制模塊與所述半導體功率源相連，用于輸出控制信號控制所述多個LDMOS管以調整所述半導體功率源的工作頻率；

供電電源，所述供電電源與所述半導體功率源和所述控制模塊相連，用于輸出直流電壓以給所述半導體功率源和所述控制模塊供電。

2.如權利要求1所述的半導體微波爐，其特征在于，所述控制模塊還用于輸出電壓調節信號調節所述供電電源輸出的直流電壓以控制所述半導體功率源的輸出功率。

3.如權利要求2所述的半導體微波爐，其特征在于，所述半導體功率源還包括：

功率合成器，所述多個LDMOS管的漏極并聯后與所述功率合成器相連，所述功率合成器用于調整所述多個LDMOS管的輸出阻抗，并控制所述多個LDMOS管輸出的微波的相位相同；

偏壓及控制子模塊，所述多個LDMOS管的柵極并聯后與所述偏壓及控制子模塊相連，所述偏壓及控制子模塊用于為所述多個LDMOS管提供偏壓，并在所述控制模塊輸出的所述半導體功率源關斷信號和頻率調整信號的控制下通過調節所述偏壓以調整所述半導體功率源的工作頻率；

功率檢測子模塊，用于檢測所述半導體功率源的反射功率和輸出功率，根據所述反射功率和輸出功率生成檢測信號并將所述檢測信號發送至所述控制模塊。

4.如權利要求3所述的半導體微波爐，其特征在于，所述功率檢測子模塊進一步包括：

第一電阻，所述第一電阻的一端與所述反射功率的信號端相連；

第一控制芯片，所述第一控制芯片的第三管腳與所述第一電阻的另一端相連，所述第一控制芯片的第四管腳和第五管腳相連后接地，所述第一控制芯片的第二管腳接地；

第二電阻，所述第二電阻的一端與所述第一電阻的一端相連，所述第二電阻的另一端與所述第一控制芯片的第六管腳相連；

第三電阻，所述第三電阻的一端接地，所述第三電阻的另一端與所述第一控制芯片的第一管腳相連；

第一電容，所述第一電容的一端分別與所述第一控制芯片的第六管腳和所述第二電阻的另一端相連；

第四電阻，所述第四電阻的一端與所述第一電容的另一端相連，所述第四電阻的另一端分別與所述第一控制芯片的第一管腳和所述第三電阻的另一端相連。

5.如權利要求3所述的半導體微波爐，其特征在于，所述功率檢測子模塊還包括：

第二控制芯片，所述第二控制芯片的第四管腳和第五管腳相連后接地，所述第二控制芯片的第二管腳接地；

第二電容，所述第二電容的一端與所述第二控制芯片的第六管腳相連；

第五電阻，所述第五電阻的一端與所述第二電容的另一端相連，所述第五電阻的另一端與所述第二控制芯片的第一管腳相連；

第六電阻，所述第六電阻的一端與所述第二控制芯片的第一管腳相連，所述第六電阻的另一端接地；

第七電阻，所述第七電阻的一端與所述第二控制芯片的第六管腳相連，所述第七電阻的另一端與所述輸出功率的信號端相連；

第八電阻，所述第八電阻的一端與所述第二控制芯片的第三管腳相連，所述第八電阻的另一端與第七電阻的另一端相連。

6.如權利要求3所述的半導體微波爐，其特征在于，所述偏壓及控制子模塊進一步包括：

串聯的第九電阻和穩壓二極管，所述穩壓二極管的正極端接地，所述第九電阻的一端與所述半導體功率源的直流電源輸入端相連；

第三電容，所述第三電容的一端與所述第九電阻的一端相連，所述第三電容的另一端接地；

可變電容，所述可變電容的一端與所述第九電阻的一端相連，所述可變電容的另一端接地，所述可變電容的控制端與所述控制模塊相連；

三極管，所述三極管的發射極與所述第九電阻和穩壓二極管之間的節點相連；

第十電阻，所述第十電阻的一端與所述控制模塊相連，所述第十電阻的另一端與所述三極管的基極相連；

可變電阻，所述可變電阻的一端與所述三極管的集電極相連，所述可變電阻的另一端接地；

第十一電阻，所述第十一電阻的一端與所述可變電阻的控制端相連，所述第十一電阻的另一端分別與所述多個LDMOS管的柵極相連。