[發(fā)明專利]用于銅線鍵合的預(yù)鍍引線框

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210408622.9
• 申請(qǐng)日: 2012-10-24
• 公開（公告）號(hào): CN103077935A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 關(guān)耀輝;徐靖民;曾世總;林儒瓏;陳達(dá)志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 先進(jìn)科技新加坡有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 北京申翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11214
• 代理人: 周春發(fā)

1.一種預(yù)鍍引線框，其包含有：

襯底，其包含有銅或銅合金，該襯底具有第一側(cè)面和與第一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面；

第一鍍覆層，其包含有鍍覆在襯底的第一側(cè)面和第二側(cè)面的鎳；

第二鍍覆層，其包含有鍍覆在襯底第一側(cè)面和第二側(cè)面的第一鍍覆層上方的鈀；

第三鍍覆層，其包含有鍍覆在襯底第二側(cè)面的第二鍍覆層上方的金，襯底第二側(cè)面的第三鍍覆層具有的厚度超過3nm；

其中，襯底的第一側(cè)面或者沒有金鍍覆在第二鍍覆層上方，或者包括第三鍍覆層，該第三鍍覆層包含有鍍覆在第二鍍覆層上方的金，其厚度等于或小于1.5nm。

2.如權(quán)利要求1所述的預(yù)鍍引線框，其中，該包含有鎳的第一鍍覆層的厚度是在0.5μm至1.5μm之間。

3.如權(quán)利要求1所述的預(yù)鍍引線框，其中，該包含有鈀的第二鍍覆層的厚度是在0.01μm至0.05μm之間。

4.如權(quán)利要求1所述的預(yù)鍍引線框，其中，襯底的第一側(cè)面被配置來在襯底上完成晶粒安裝和/或?qū)Ь€鍵合，而襯底的第二側(cè)面為表面安裝側(cè)面，其被配置來在其他的元件和器件之上裝配從該襯底上制造的封裝后的器件。

5.如權(quán)利要求1所述的預(yù)鍍引線框，其中，在各個(gè)鍍覆層形成以前，在該襯底的第一側(cè)面和第二側(cè)面上的表面通過使用氧化劑蝕刻該襯底以在表面上的顆粒間界處引起擇優(yōu)浸蝕的方式而被粗糙化，以便于在相鄰的顆粒之間產(chǎn)生較大的間隙。

6.一種制造引線框的方法，該方法包含有以下步驟：

提供包含有銅或銅合金的襯底，該襯底具有第一側(cè)面和與第一側(cè)面相對(duì)的第二側(cè)面；

將鎳鍍覆在襯底的第一側(cè)面和第二側(cè)面上，以形成第一鍍覆層；

將鈀鍍覆在襯底第一側(cè)面和第二側(cè)面的第一鍍覆層之上，以形成第二鍍覆層；

將金鍍覆在襯底第二側(cè)面的第二鍍覆層之上，以形成第三鍍覆層，襯底第二側(cè)面的第三鍍覆層具有的厚度超過3nm；以及

或者將金鍍覆在襯底第一側(cè)面的第二鍍覆層之上，以形成第三鍍覆層，其厚度等于或小于1.5nm，或者沒有金鍍覆在襯底第一側(cè)面的第二鍍覆層之上。

7.如權(quán)利要求6所述的制造引線框的方法，其中，該包含有鎳的第一鍍覆層的厚度是在0.5μm至1.5μm之間。

8.如權(quán)利要求6所述的制造引線框的方法，其中，該包含有鈀的第二鍍覆層的厚度是在0.01μm至0.05μm之間。

9.如權(quán)利要求6所述的制造引線框的方法，其中，襯底的第一側(cè)面被配置來在襯底上完成晶粒安裝和/或?qū)Ь€鍵合，而襯底的第二側(cè)面為表面安裝側(cè)面，其被配置來在其他的元件和器件之上裝配從該襯底上制造的封裝后的器件。

10.如權(quán)利要求6所述的制造引線框的方法，該方法還包含有下面的步驟：

在將鎳鍍覆在襯底的第一側(cè)面和第二側(cè)面上以前，在該襯底的第一側(cè)面和第二側(cè)面上的表面通過使用氧化劑蝕刻該襯底的方式而被粗糙化。

11.如權(quán)利要求10所述的制造引線框的方法，其中，該蝕刻處理包含有以下步驟：在溫度控制在15oC至35oC之間的情形下，將襯底浸沒在氧化劑中持續(xù)5至60秒。

12.如權(quán)利要求10所述的制造引線框的方法，其中，該氧化劑選自以下的組群，該組群包括：過硫酸或過氧化物的鉀、鈉或銨鹽；硝酸和氯化鐵。