[發(fā)明專利]一種SiC襯底轉(zhuǎn)移石墨烯的退火工藝及制做的器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210408199.2
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN102931077A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王東;寧靜;韓碭;閆景東;柴正;張進(jìn)成;郝躍
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/324
• 分類號(hào): H01L21/324
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種SiC襯底轉(zhuǎn)移石墨烯的退火工藝，其特征在于，

采用高溫退火的方式，修復(fù)襯底轉(zhuǎn)移過程中產(chǎn)生的石墨烯缺陷，進(jìn)一步去除轉(zhuǎn)移過程中沒能去除或是新引進(jìn)的雜質(zhì)；同時(shí)高溫退火，在石墨烯中引入禁帶。

2.如權(quán)利要求1所述的退火工藝，其特征在于，所述退火工藝實(shí)現(xiàn)步驟如下：

(1)將銅箔放在反應(yīng)室內(nèi)，向反應(yīng)室通入H₂，對銅箔進(jìn)行處理；

(2)向反應(yīng)室通入Ar和CH₄；

(3)在Fe(NO₄)₃水溶液中浸泡30-60min，使用GaN襯底打撈起來，在空氣中加熱60min，溫度保持在150-200℃；

(4)放入丙酮中浸泡24小時(shí)徹底去除殘留的PMMA；

(5)分別用無水乙醇和去離子水漂洗，高純N₂吹干；

(6)反應(yīng)室抽真空，再通入Ar氣，氣壓0.01-0.1Torr，溫度上升到100-200℃，保持30-40min；

(7)再通入Ar和H₂的混合氣，退火。

3.如權(quán)利要求1所述的退火工藝，其特征在于，將銅箔放在反應(yīng)室內(nèi)，向反應(yīng)室通入H₂，對銅箔進(jìn)行處理，流量1-20sccm，溫度900-1000℃，時(shí)間20-60min，氣壓1-50Torr。

4.如權(quán)利要求1所述的退火工藝，其特征在于，向反應(yīng)室通入Ar和CH₄，保持Ar和CH₄的流量比為10∶1-2∶1，Ar流量20-200sccm，CH₄流量1-20sccm，氣壓維持在0.1-1Torr，溫度900-1100℃，升溫和保持時(shí)間共20-60min；

5.如權(quán)利要求1所述的退火工藝，其特征在于，在0.05g/ml-0.15g/mlFe(NO₄)₃水溶液中浸泡30-60min，使用GaN襯底打撈起來，在空氣中加熱60min，溫度保持在150-200℃。

6.如權(quán)利要求1所述的退火工藝，其特征在于，再通入Ar和H₂的混合氣，混合比例為10∶1-1∶1，氣壓維持在0.01-0.1Torr，退火溫度為1000-1100℃，退火時(shí)間1-2h。

7.一種利用權(quán)利要求1所述的SiC襯底轉(zhuǎn)移石墨烯的退火工藝制做的器件。