[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210407606.8 | 申請日： | 2012-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN103137864A | 公開（公告）日： | 2013-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金珍赫;李根;權(quán)寧錫 | 申請（專利權(quán)）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 周曉雨;俞波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體襯底，其中形成有字線區(qū)；以及
阻擋金屬層，所述阻擋金屬層由金屬氮化物形成、被布置在所述字線區(qū)上、并引起產(chǎn)生肖特基結(jié)，所述阻擋金屬層包括：
第一氮化物材料，所述第一氮化物材料由硝化的第一材料形成；以及
第二氮化物材料，所述第二氮化物材料由硝化的第二材料形成，
其中，所述阻擋金屬層由所述第一氮化物材料和所述第二氮化物材料的混合物形成，以及
其中，所述第一材料或所述第二材料中的任何一種富含用于形成所述金屬氮化物的金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一材料是鈦，并且所述第二材料是鋁。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一氮化物材料和所述第二氮化物材料包括通過原子層沉積而沉積的氮化物材料。
4.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體襯底，其中形成有字線區(qū)；以及
阻擋金屬層，所述阻擋金屬層由金屬氮化物形成、被布置在所述字線區(qū)上、并引起產(chǎn)生肖特基結(jié)，
所述字線區(qū)包括：
第一氮化物材料，所述第一氮化物材料由硝化的第一材料形成；以及
第二氮化物材料，所述第二氮化物材料由硝化的第二材料形成，
其中，所述字線區(qū)由所述第一氮化物材料和所述第二氮化物材料的混合物形成，以及
其中，所述第一材料或所述第二材料中的至少一種富含用于形成所述金屬氮化物的金屬。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一材料是鈦，并且所述第二材料是鋁。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一氮化物材料和所述第二氮化物材料包括通過原子層沉積而沉積的氮化物材料。
7.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟：
提供形成有字線區(qū)的半導(dǎo)體襯底；
將第一材料沉積在所述字線區(qū)上；
通過將所述第一材料硝化來形成第一氮化物材料；
判斷所述第一氮化物材料是否具有期望的厚度，其中，如果所述第一氮化物材料具有期望的厚度，則：
將第二材料沉積在所述第一氮化物材料上，
通過將所述第二材料硝化來形成第二氮化物材料，以及
判斷所述第二氮化物材料是否被沉積到期望的厚度，其中，如果所述第二氮化物材料具有期望的厚度，則：
將P+多晶硅層沉積在所述第二氮化物材料上，以及
其中，所述第一材料或所述第二材料富含用于形成所述第一氮化物材料或所述第二氮化物材料的材料。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括以下步驟：
如果判定出所述第一氮化物材料不具有期望的厚度，則重復(fù)沉積所述第一材料和形成所述第一氮化物材料；或者
如果判定出所述第二氮化物材料不具有期望的厚度，則重復(fù)沉積所述第二材料和形成所述第二氮化物材料。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一材料是鈦，并且所述第二材料是鋁。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，沉積所述第一材料和沉積所述第二材料的步驟包括以下步驟：利用原子層沉積來沉積所述第一材料和所述第二材料。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述第一氮化物材料的步驟還包括以下步驟：
在所述半導(dǎo)體襯底的字線區(qū)上提供第一材料前驅(qū)體；
執(zhí)行凈化以去除雜質(zhì)；
執(zhí)行氫工藝以從所述第一材料前驅(qū)體去除配體；
執(zhí)行第二凈化以去除雜質(zhì)；以及
通過利用氨氣或氨等離子體工藝將所述第一材料硝化來形成所述第一氮化物材料。
12.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述第一氮化物材料的步驟還包括以下步驟：
在所述半導(dǎo)體襯底的字線區(qū)上提供第一材料前驅(qū)體；
執(zhí)行凈化以去除雜質(zhì)；
通過利用氨氣或氨等離子體工藝將所述第一材料硝化來形成所述第一氮化物材料；以及
執(zhí)行第二凈化以去除雜質(zhì)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一材料前驅(qū)體包括選自Ti(NEtMe)4、四(二甲氨基)鈦I、氯化鈦、碘化鈦、或氟化鈦中的任何一種。
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