[發明專利]MOSFET的制造方法

有效

• 申請號: 201210407433.X
• 申請日: 2012-10-23
• 公開（公告）號: CN103779223A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 尹海洲;秦長亮;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔡純

1.一種MOSFET的制造方法，包括：

在半導體襯底上外延生長第一半導體層；

在第一半導體層上外延生長第二半導體層；

在第一半導體層和第二半導體層中形成用于限定MOSFET的有源區的淺溝槽隔離；

在第二半導體上形成柵疊層和圍繞柵疊層的側墻；

以淺溝槽隔離、柵疊層和側墻為硬掩模在第二半導體層中形成開口；

以開口的底面和側壁為生長籽層，外延生長第三半導體層，其中第三半導體層的材料與第二半導體層的材料不同；以及

對第三半導體層進行離子注入以形成源區和漏區。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述淺溝槽隔離在第二半導體層中的部分具有傾斜的側壁。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述淺溝槽隔離在第一半導體層中的部分地延伸到第二半導體層的下方。

4.根據權利要求3所述的方法，其中形成淺溝槽隔離的步驟包括：

在第二半導體上形成其中包括淺溝槽隔離的圖案的硬掩模；

采用各向異性蝕刻在第二半導體層中形成淺溝槽的第一部分，使得該淺溝槽的第一部分具有傾斜的側壁并到達第一半導體層的表面；

采用各向同性蝕刻在第一半導體層中形成淺溝槽的第二部分，使得該淺溝槽的第二部分部分地延伸到第二半導體層的下方；以及

采用絕緣材料填充淺溝槽，以形成淺溝槽隔離。

5.根據權利要求2所述的方法，其中淺溝槽的第一部分的頂部表面與側壁的夾角小于70°。

6.根據權利要求1所述的方法，其中形成開口的步驟包括：

采用各向異性蝕刻在第二半導體層中形成開口，使得該開口具有陡直的側壁。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述MOSFET為p型MOSFET。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一半導體層由SiGe組成，所述第二半導體層由Si組成，所述第三半導體層由SiGe組成。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述MOSFET為n型MOSFET。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一半導體層由Si:C組成，所述第二半導體層由Si組成，所述第三半導體層由Si:C組成。

11.根據權利要求1所述的方法，其中在形成源區和漏區之后中，還包括：

執行硅化以在源區和漏區的表面形成金屬硅化物。