[發明專利]一種液晶顯示設備及其制造方法

在審

• 申請號: 201210407103.0
• 申請日: 2012-10-23
• 公開（公告）號: CN102929022A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 張祖翰;黃國有;陳勃學;陳茂松
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種液晶顯示設備以及該液晶顯示設備的制造方法。

背景技術

當前，影響液晶顯示器發光效果的參數之一為像素開口率（像素的透光面積與像素面積之比率），例如，像素開口率增加時，液晶顯示器的耗電更低，亮度更高。在傳統的薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,LCD）設計中，為了增加像素開口率，一種解決方案是在于，將像素電極（pixelelectrode），諸如銦錫氧化物（Indium?Tin?Oxide,ITO）透明電極，的面積增加，且與柵極電路以及源極/漏極電路重疊，便可使像素開口率增加大約10%~20%左右。然而，該設計將會像素電極更趨于接近數據線（data?line）。一旦像素電極與數據線過于接近，二者間將進一步產生較大的寄生電容（parasitic?capacitance）。

另一方面，通常在像素電極與數據線之間設置較高介電常數的介電質，如，氮化硅薄膜。較高的介電常數將導致寄生電容增大。如果該寄生電容的電容值過高，將進一步致使像素電極上充飽的電荷在下一個畫面轉換前，受到數據線傳送不同電壓的影響，從而產生串音效應（cross?talk）。為此，可設置一保護層，藉由共通電極線與像素電極之間的距離增大來降低寄生電容的影響，但二者間的距離增大同時也會減小其存儲電容。若要維持總的存儲電容保持不變，勢必會增加與存儲電容相關的電極表面積，而電極表面積的增加將反過來降低了像素開口率。

此外，AHVA（Advanced?Hyper?Viewing?Angle，超視角高清晰技術）通過增加PEP（Photo?Engraving?Process，完成一次黃光制程稱之為一個PEP）的數量，改善a-Si薄膜晶體管的像素開口率，從而提供超高分辨率的高畫質圖像效果。但是，此種設計方案將會使數據線與像素之間的段差過大，造成Cell段制程時易出現PIrubbing（PI膜取向）不良的情形。如果將數據線上方的保護層減薄，降低數據線與像素之間的段差，雖然PI?rubbing不良現象可得到改善，但隨之而來的是數據線與共通電極之間的距離縮短，增加了RC負荷。

有鑒于此，如何設計一種改進的液晶顯示設備，在無需減薄數據線上方的保護層厚度的同時，還可減小數據線與像素之間的段差，避免PI?rubbing不良情形的發生，是業內相關技術人員亟待解決的課題。

發明內容

針對現有技術中的液晶顯示設備所存在的上述缺陷，本發明提供了一種新穎的液晶顯示設備及其制造方法。

依據本發明的一個方面，提供了一種液晶顯示設備的制造方法，包括以下步驟：

形成一柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層挖出一溝槽；

沉積一數據線于所述溝槽內；

形成一像素于所述柵極絕緣層的上方；

形成一圖案化的第一保護層于所述數據線的上方以及所述像素的上方；以及

形成一圖案化的共通電極層于所述第一保護層的上方，其中，所述像素上方的共通電極層呈現一預設圖案。

優選地，第一保護層為一非晶硅層。

優選地，共通電極層的材質為銦錫氧化物。

依據本發明的另一個方面，提供了一種液晶顯示設備的制造方法，包括以下步驟：

形成一柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層挖出一溝槽；

沉積一數據線于所述溝槽內；

形成一像素于所述柵極絕緣層的上方；

填注一第二保護層于所述溝槽，以包圍所述數據線；

形成一圖案化的第一保護層于所述第二保護層的上方以及所述像素的上方；以及

形成一圖案化的共通電極層于所述第一保護層的上方，其中，所述像素上方的共通電極層呈現一預設圖案，

其中，藉由所述第一保護層和所述第二保護層對所述數據線進行保護。

優選地，第一保護層的材質為氧化鋁，第二保護層的材質為銦鎵鋅氧化物或聚合物復合層。

優選地，共通電極層的材質為銦錫氧化物。

依據本發明的又一個方面，提供了一種液晶顯示設備，包括：

一柵極絕緣層，具有一溝槽；

一數據線，位于所述溝槽內；

一像素，位于所述柵極絕緣層的上方；

一第一保護層，位于所述數據線的上方以及所述像素的上方；以及

一共通電極層，位于所述第一保護層的上方，其中，所述像素上方的共通電極層呈現一預設圖案。