[發明專利]半導體裝置的制造方法及襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201210407086.0
• 申請日: 2010-09-30
• 公開（公告）號: CN102915910A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 赤江尚德;廣瀨義朗;高澤裕真;太田陽介;笹島亮太
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318;C23C16/455;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.一種半導體裝置的制造方法，所述制造方法包括下述工序：

將襯底搬入處理容器內的工序；

通過交替重復進行以下工序而在所述襯底上形成薄膜的工序，所述交替重復進行的工序包括：

(a)通過向所述處理容器內供給至少兩種含有規定元素的原料氣體，在所述襯底上形成含有所述規定元素的層的工序；

(b)通過向所述處理容器內供給與所述至少兩種原料氣體不同的反應氣體，將所述含有所述規定元素的層改性的工序；

將經過處理的襯底從所述處理容器內搬出的工序。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述至少兩種原料氣體分別具有不同的反應性。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，使所述至少兩種原料氣體中反應性最高的原料氣體的供給量比所述至少兩種原料氣體中其他原料氣體的供給量少。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，使所述至少兩種原料氣體中反應性最高的原料氣體的流量比所述至少兩種原料氣體中其他原料氣體的流量少。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，使所述至少兩種原料氣體中反應性最高的原料氣體的供給時間比所述至少兩種原料氣體中其他原料氣體的供給時間短。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，在停止供給所述至少兩種原料氣體中除了反應性最高的原料氣體以外的其他原料氣體之前，先停止供給所述至少兩種原料氣體中所述反應性最高的原料氣體。

7.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，同時開始所述至少兩種原料氣體的供給，且在停止供給所述至少兩種原料氣體中除了反應性最高的原料氣體以外的其他原料氣體之前，先停止供給所述至少兩種原料氣體中所述反應性最高的原料氣體。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，在開始供給所述至少兩種原料氣體中除了反應性最高的原料氣體以外的其他原料氣體之前，先開始供給所述至少兩種原料氣體中所述反應性最高的原料氣體。

9.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，在開始供給所述至少兩種原料氣體中除了反應性最高的原料氣體以外的其他原料氣體之前，先開始供給所述至少兩種原料氣體中所述反應性最高的原料氣體，并且在停止供給所述至少兩種原料氣體中所述其他原料氣體之前，先停止供給所述至少兩種原料氣體中所述反應性最高的原料氣體。

10.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，在停止供給所述至少兩種原料氣體中反應性最高的原料氣體之后，開始供給所述至少兩種原料氣體中其他原料氣體。

11.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，在向所述處理容器內供給所述至少兩種原料氣體中反應性最高的原料氣體之后，向所述處理容器內供給所述至少兩種原料氣體中其他原料氣體。

12.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述薄膜為氧化膜、氮化膜或氮氧化膜。

13.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述規定元素為半導體元素或金屬元素。

14.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述規定元素為Si、Ti、Zr、Hf或Al。

15.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述薄膜為氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜或金屬氮氧化膜。

16.一種半導體裝置的制造方法，所述制造方法包括下述工序：

將襯底搬入處理容器內的工序；

通過交替重復進行以下工序而在所述襯底上形成薄膜的工序，所述交替重復進行的工序包括：

(a)向所述處理容器內供給至少兩種含有所述規定元素的原料氣體的工序；

(b)向所述處理容器內供給與所述至少兩種原料氣體不同的反應氣體的工序；

將經過處理的襯底從所述處理容器內搬出的工序。