[發明專利]一種超高Q值片上可調電感

有效

• 申請號: 201210406980.6
• 申請日: 2012-10-23
• 公開（公告）號: CN103001566B
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 李智群;曹佳
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H02P13/00
• 分類號: H02P13/00;H01F38/14
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 湯志武

1.一種超高Q值片上可調電感，其特征是：包括電感單元、電容調控單元和負阻 調控單元，其中：

電感單元設有一個主電感和一個副電感，兩者之間電磁耦合，主電感的兩端直接與 射頻電路輸出連接；

電容調控單元設有兩個串接的可變電容C1及C2，其串接端作為控制端連接外部輸 入的控制信號V_C1，可變電容C1及C2的另一端分別連接電感單元中副電感的同相端及 反相端；

負阻調控單元設有五個晶體管M1、M2、M3、M4及M5，晶體管M1的柵極 作為控制端連接外部輸入的另一控制信號V_C2，晶體管M1的源極接地，晶體管M1的 漏極與晶體管M2及M3的源極連接在一起，晶體管M2的柵極與晶體管M3的漏極、 晶體管M5的漏極、晶體管M4的柵極以及電感單元中副電感的反相端連接在一起，晶 體管M3的柵極與晶體管M2的漏極、晶體管M4的漏極、晶體管M5的柵極以及電感 單元中副電感的同相端連接在一起，晶體管M4及M5的源極均連接電源VDD。

2.根據權利要求1所述的超高Q值片上可調電感，其特征是：所說電容調控單元 中兩個串接的可變電容C1及C2與電感單元中副電感的同相端及反相端的兩連接端之 間，還依次并聯有多組開關電容，每一組開關電容均設有兩個電容及一個開關，開關串 接在兩個電容之間，每一組開關電容中的開關的控制端分別連接各自的外部數字控制信 號。

3.根據權利要求1所述的超高Q值片上可調電感，其特征是：所說負阻調控單元 設有三個晶體管M1、M2及M3，晶體管M1的柵極作為控制端連接外部輸入的另一 控制信號，晶體管M1的源極接地，晶體管M1的漏極與晶體管M2及M3的源極連接 在一起，晶體管M2的柵極與晶體管M3的漏極以及電感單元中副電感的反相端連接在 一起，晶體管M3的柵極與晶體管M2的漏極以及電感單元中副電感的同相端連接在一 起，電感單元中的副電感設有中心抽頭連接至電源VDD。